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CP223

Small Signal Transistor NPN - RF Transistor Chip

PROCESSDETAILS ProcessEPITAXIALPLANAR DieSize22x22MILS DieThickness8.0MILS BaseBondingPadArea3.5MILSDIAMETER EmitterBondingPadArea3.5x3.5MILS TopSideMetalizationAl-30,000? BackSideMetalizationAu-12,000?

CentralCentral Semiconductor Corp

美國中央半導(dǎo)體

Central

CP223

Small Signal Transistor NPN - RF Transistor Chip

CentralCentral Semiconductor Corp

美國中央半導(dǎo)體

Central

CP2233

智能電源管理、超高效率、超低失真、恒定大功率、DG 類音頻功放

CP2233是為進(jìn)一步提高系統(tǒng)效率、提升音樂播放品質(zhì)、延長音樂播放時(shí)間,具有超低失真、恒定大音量的新一代DG類音頻功放。啟攀獨(dú)有的智能電源管理(IPM)機(jī)制能顯著提高音頻功放效率,系統(tǒng)效率可達(dá)78%以上。CP2233中采用了新一代電荷泵升壓技術(shù),高效模式下效率高達(dá)92%,恒定輸出模式下,可滿足全電壓范圍內(nèi)(3V~5V)的恒定電壓輸出(5.8V)。0.04%的超低失真度和自動增益管理功能能帶來音樂品質(zhì)上的提升。\r\n 智能電源管理(IPM)機(jī)制能顯著提升電荷泵升壓型音頻功放的系統(tǒng)效率,極大地延長電池使用壽命,在產(chǎn)生大音量音頻信號的同時(shí)降低升壓過程中帶來的效率損失; - 新一代電荷泵升壓技術(shù):支持1.5 倍升壓模式\r\n- 智能電源管理(IPM)顯著提高系統(tǒng)效率(>78%),延長正常的音樂播放時(shí)間\r\n- 系統(tǒng)效率高達(dá)88% (8Ω 喇叭600mW 輸出 VDD=4.2V,VDD 驅(qū)動輸出)\r\n- 超低失真度:0.04%\r\n- 恒定功率輸出:0.6W、0.8W、1W、1.2W\r\n- 自動增益管理功能\r\n- 支持7 種模式選擇的一線脈沖控制\r\n- 優(yōu)異的POP 聲抑制能力\r\n- 超低EMI\r\n- 高PSRR:-65dB\r\n- 纖小的2mm х 2mm QFNFC-16 封裝;

ChiphomerChiphomer Technology (shanghai)Limited

啟攀微電子啟攀微電子(上海)有限公司

CP2235

CP2235-10w 單聲道 D類 音頻功放

CP2235為一款高效中功率D類音頻放大器,采用雙電源供電,低電源VDD工作范圍3.5V至5V,功率電源PVDD工作范圍7V至25V。在16V電源電壓下可輸出峰值達(dá)18W的輸出功率(8歐姆負(fù)載、10%THD+N)。CP2235內(nèi)集成自動增益管理單元(AGM),可通過將外部AGM端口拉高來使能AGM模式,AGM啟用后可有效抑制破音現(xiàn)象的發(fā)生,提供更舒適的音響效果。通過SG引腳配置高低兩種增益模式,可以使CP2235滿足寬電源電壓范圍下的不同增益應(yīng)用。CP2235采用16引腳的SOP封裝,可以通過外部輸入電阻調(diào)節(jié)增益。CP2235內(nèi)置三角波頻率默認(rèn)300KHz,也可以由CLK引腳外接時(shí)鐘來; -輸出功率 5W 時(shí)效率高達(dá) 89%(5V/12V 電源電壓,8 歐姆負(fù)載)\r\n- 可以通過外部管腳啟用自動增益管理單元,有效防止破音現(xiàn)象\r\n- 通過外部管腳配置高增益模式\r\n- PVDD=12V,1%THD,輸出功率高達(dá) 8W\r\n- PVDD=12V,10%THD,輸出功率高達(dá) 10W\r\n- PVDD=16V,1%THD,輸出功率高達(dá) 14W\r\n- PVDD=16V,10%THD,輸出功率高達(dá) 18W\r\n- PVDD=12V,啟用 AGM 后,0.22%THD,輸出功率被鎖定在 4.5W\r\n- VDD 靜態(tài)電流 ;

ChiphomerChiphomer Technology (shanghai)Limited

啟攀微電子啟攀微電子(上海)有限公司

CP223-2N3866

NPN - RF Transistor Die 0.4 Amp, 30 Volt

CentralCentral Semiconductor Corp

美國中央半導(dǎo)體

Central

CP223-2N3866-CT

NPN - RF Transistor Die 0.4 Amp, 30 Volt

CentralCentral Semiconductor Corp

美國中央半導(dǎo)體

Central

CP223-2N3866-CT

NPN - RF Transistor Die 0.4 Amp, 20 Volt

CentralCentral Semiconductor Corp

美國中央半導(dǎo)體

Central

CP223-2N3866-CT

NPN - RF Transistor Die 0.4 Amp, 30 Volt

CentralCentral Semiconductor Corp

美國中央半導(dǎo)體

Central

CP223-2N3866-CT

PNP - RF Transistor Die 0.4 Amp, 40 Volt

CentralCentral Semiconductor Corp

美國中央半導(dǎo)體

Central

CP223-2N3866-WN

NPN - RF Transistor Die 0.4 Amp, 20 Volt

CentralCentral Semiconductor Corp

美國中央半導(dǎo)體

Central

技術(shù)參數(shù)

  • Case:

    Chip_Packaging

  • Configuration/ Description:

    Bare die 21.700 X 21.700

  • Polarity:

    NPN

  • IC MAX:

    400mA

  • PD MAX:

    5W

  • VCEO MAX:

    30V

  • hFE MIN:

    10

  • hFE MAX:

    200

  • @VCE:

    5V

  • VCE(SAT) MAX:

    1V

  • @IC:

    100mA

  • @IB:

    20mA

  • Cob MAX:

    3pF

  • fT MIN:

    500MHz

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更多CP223供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-8-2 16:00:00