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CP736V | Small Signal Transistors PNP - High Voltage Transistor Chip PROCESSDETAILS ProcessEPITAXIALPLANAR DieSize17.3x17.3MILS DieThickness7.1MILS BaseBondingPadArea3.9x3.9MILS EmitterBondingPadArea3.9x3.9MILS TopSideMetalizationAl-Si-30,000? BackSideMetalizationAu-12,000? | CentralCentral Semiconductor Corp 美國(guó)中央半導(dǎo)體 | Central | |
The CP736V-2N5401 die is a PNP silicon transistor designed for high voltage amplifi er applications. TheCP736V-2N5401dieisaPNPsilicontransistordesignedforhighvoltageamplifierapplications. MECHANICALSPECIFICATIONS: DieSize17.3x17.3MILS DieThickness7.1MILS BaseBondingPadSize3.9x3.9MILS EmitterBondingPadSize3.9x3.9MILS TopSideMetalizationA | CentralCentral Semiconductor Corp 美國(guó)中央半導(dǎo)體 | Central | ||
PNP - High Voltage Transistor Die 1.0 Amp, 140 Volt | CentralCentral Semiconductor Corp 美國(guó)中央半導(dǎo)體 | Central | ||
P-Channel JFET Die | CentralCentral Semiconductor Corp 美國(guó)中央半導(dǎo)體 | Central | ||
PNP - High Voltage Transistor Die | CentralCentral Semiconductor Corp 美國(guó)中央半導(dǎo)體 | Central | ||
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PNP - High Voltage Transistor Die | CentralCentral Semiconductor Corp 美國(guó)中央半導(dǎo)體 | Central | ||
PNP - High Voltage Transistor Die 1.0 Amp, 175 Volt | CentralCentral Semiconductor Corp 美國(guó)中央半導(dǎo)體 | Central | ||
PNP - High Voltage Transistor Die 0.6 Amp, 120 Volt | CentralCentral Semiconductor Corp 美國(guó)中央半導(dǎo)體 | Central | ||
P-Channel JFET Die | CentralCentral Semiconductor Corp 美國(guó)中央半導(dǎo)體 | Central |
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
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