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IRF5852

PowerMOSFET(Vdss=20V)

Description TheseN-channelMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforuseinbatteryandloadmanagementapplications. ThisDua

IRF

International Rectifier

IRF5852

UltraLowOn-Resistance

Description TheseN-channelMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforuseinbatteryandloadmanagementapplications. ThisDua

IRF

International Rectifier

IRF5852

UltraLowOn-Resistance

Description TheseN-channelMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforuseinbatteryandloadmanagementapplications. ThisDua

IRF

International Rectifier

IRF5852PBF

UltraLowOn-Resistance

Description TheseN-channelMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforuseinbatteryandloadmanagementapplications. ThisDua

IRF

International Rectifier

IRF5852TR

UltraLowOn-Resistance

Description TheseN-channelMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforuseinbatteryandloadmanagementapplications. ThisDua

IRF

International Rectifier

IRF5852TRPBF

UltraLowOn-Resistance

Description TheseN-channelMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforuseinbatteryandloadmanagementapplications. ThisDua

IRF

International Rectifier

ISO5852S

High-CMTI2.5-Aand5-AReinforcedIsolatedIGBT,MOSFETGateDriverWithSplitOutputsandActiveProtectionFeatures

TI1Texas Instruments

德州儀器

ISO5852S

High-CMTI2.5-A/5-AIsolatedIGBT,MOSFETGateDriverwithSplitOutputsandActiveSafetyFeatures

TITexas Instruments

德州儀器美國(guó)德州儀器公司

ISO5852S

High-CMTI2.5-Aand5-AReinforcedIsolatedIGBT,MOSFETGateDriverWithSplitOutputsandActiveProtectionFeatures

TI1Texas Instruments

德州儀器

ISO5852SDW

High-CMTI2.5-A/5-AIsolatedIGBT,MOSFETGateDriverwithSplitOutputsandActiveSafetyFeatures

TITexas Instruments

德州儀器美國(guó)德州儀器公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    CPH5852-TL-E

  • 功能描述：

    MOSFET P-CH 30V 2A CPH5

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
Sanyo
23+
CPH5
7750
全新原裝優(yōu)勢(shì)
 詢價(jià)
SANYO
23+
NA
306
專做原裝正品,假一罰百!
 詢價(jià)
三年內(nèi)
1983
只做原裝正品
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ON
23+
NA
3000
全新原裝正品!一手貨源價(jià)格優(yōu)勢(shì)!
 詢價(jià)
SANYOSEMICON
22+
NA
5000
絕對(duì)全新原裝現(xiàn)貨
 詢價(jià)
SANYO/三洋
22+
5-CPH
25000
只有原裝原裝,支持BOM配單
 詢價(jià)
SANYO/三洋
21+
CPH5
9000
原裝現(xiàn)貨假一賠十
 詢價(jià)
SANYO/三洋
23+
CPH5
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價(jià)
SANYO/三洋
23+
CPH5
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價(jià)
SANYO/三洋
2022
CPH5
80000
原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢
 詢價(jià)
更多CPH5852-TL-E供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-25 14:04:00

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