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DGD2003

HALF-BRIDGEGATEDRIVERINSO-8

Features -FloatingHigh-SideDriverinBootstrapOperationto200V -DrivesTwoN-ChannelMOSFETsinaHalf-BridgeConfiguration -290mASource/600mASinkOutputCurrentCapability -OutputsToleranttoNegativeTransients -InternalDeadTimeof420nstoProtectMOSFETs -WideLowSideGat

DIODES

Diodes Incorporated

DL-LS2003

INFRAREDLASERDIODE

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DMP2003UPS

20VP-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET

DIODES

Diodes Incorporated

DS2003

HighCurrent/VoltageDarlingtonDrivers

NSCNational Semiconductor (TI)

美國國家半導體美國國家半導體公司

DS2003

HighCurrent/VoltageDarlingtonDrivers

NSCNational Semiconductor (TI)

美國國家半導體美國國家半導體公司

DS2003

HIGHCURRENT/VOLTAGEDARLINGTONDRIVERS

NSCNational Semiconductor (TI)

美國國家半導體美國國家半導體公司

DS2003

TheDS2003comprisessevenhighvoltage,highcurrentNPNDarlingtontransistorpairs.

TITexas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

DS2003C

HighCurrent/VoltageDarlingtonDrivers

NSCNational Semiconductor (TI)

美國國家半導體美國國家半導體公司

DS2003CJ

HighCurrent/VoltageDarlingtonDrivers

NSCNational Semiconductor (TI)

美國國家半導體美國國家半導體公司

DS2003CJ

HIGHCURRENT/VOLTAGEDARLINGTONDRIVERS

NSCNational Semiconductor (TI)

美國國家半導體美國國家半導體公司

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