CS8312YN8集成電路(IC)的柵極驅(qū)動(dòng)器規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號(hào) |
CS8312YN8 |
參數(shù)屬性 | CS8312YN8 封裝/外殼為8-DIP(0.300",7.62mm);包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC)的柵極驅(qū)動(dòng)器;產(chǎn)品描述:IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP |
功能描述 | IGBT Ignition Predriver with Dynamic Current Regulation |
封裝外殼 | 8-DIP(0.300",7.62mm) |
文件大小 |
139.3 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
5 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Cherry Semiconductor Corporation |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
CHERRY |
中文名稱 | Cherry Semiconductor Corporation官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-6-7 23:01:00 |
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Description
The CS8312 is a bipolar microprocessor interface IC designed to drive an IGBT (or logic level MOSFETs) powering large inductive loads in harsh operating environments. The IC?s dynamic current limit function lets the microprocessor adjust the current limit threshold to the real time needs of the system.
Features
■ μP Compatible Inputs
■ Adjustable Current Limit Thresholds
■ External Sense Resistor
■ Flag Signal to Indicate Output Status
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào):
CS8312YN8
- 制造商:
onsemi
- 類別:
集成電路(IC) > 柵極驅(qū)動(dòng)器
- 包裝:
卷帶(TR)
- 驅(qū)動(dòng)配置:
低端
- 通道類型:
單路
- 柵極類型:
IGBT,N 溝道 MOSFET
- 電壓 - 供電:
7V ~ 10V
- 輸入類型:
非反相
- 工作溫度:
-40°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
8-DIP(0.300",7.62mm)
- 供應(yīng)商器件封裝:
8-PDIP
- 描述:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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24+ |
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