首頁 >CSD13201W10>規(guī)格書列表

零件型號下載 訂購功能描述制造商 上傳企業(yè)LOGO

CSD13201W10

采用 1mm x 1mm WLP 封裝的單路、34mΩ、12V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET

此器件設(shè)計用于在 超低高度并具有出色散熱特性的 盡可能小外形尺寸封裝內(nèi)產(chǎn)生最低的導(dǎo)通 電阻和柵極電荷。 在 1 in22 盎司純銅 (Cu) (2 oz.) 且厚度為 0.060\" 的環(huán)氧板 (FR4) 印刷電路板 (PCB) 上，RθJA=105°C/W （典型值）。脈寬 ≤ 300μs，占空比 ≤ 2%; ? 超低柵極電荷 (Qg) 和柵漏電荷 (Qgd)\n? 小型封裝尺寸 1mm x 1mm\n? 低高度（高度為 0.62mm）\n? 無鉛\n? 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)\n? 無鹵素\n? 柵 - 源電壓鉗位;

TITexas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

TI

CSD13201W10

N-Channel NexFET Power MOSFET

TI1Texas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

TI1

CSD13201W10

N-Channel NexFET Power MOSFET

TI1Texas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

TI1

CSD13201W10_15

N-Channel NexFET Power MOSFET

TI1Texas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

TI1

CSD13201W10

TEXAS INSTRUMENTS
DSBGA4

TEXAS INSTRUMENTS

技術(shù)參數(shù)

  • Configuration：

    Single

  • Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)：

    34

  • IDM - pulsed drain current (Max) (A)：

    20.2

  • QG typ (nC)：

    2.3

  • QGD typ (nC)：

    0.3

  • Package (mm)：

    WLP 1.0x1.0

  • VGS (V)：

    8

  • VGSTH typ (V)：

    0.8

  • ID - silicon limited at Tc=25degC (A)：

    1.6

  • ID - package limited (A)：

    1.6

  • Logic level：

    Yes

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
TI
24+
DSBGA-4
18000
原廠授權(quán)代理 價格絕對優(yōu)勢
 詢價
Texas Instruments
2131
NA
1113
自營現(xiàn)貨,只做正品
 詢價
TI(德州儀器)
24+
DSBGA-4
25048
原廠可訂貨,技術(shù)支持,直接渠道?？珊灡９┖贤?/div>
 詢價
TI
24+
DSBGA|4
684100
免費送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
 詢價
TI
21+
MA
20000
鍘熻姝e搧緇濆浼樺娍
 詢價
TEXAS INSTRUMENTS
21+
DSBGA4
9600
全新原裝正品!一手貨源價格優(yōu)勢!
 詢價
TI
23+
DSBGA-4
8560
受權(quán)代理!全新原裝現(xiàn)貨特價熱賣!
 詢價
TI
三年內(nèi)
1983
只做原裝正品
 詢價
TI
16+
DSBGA
10000
原裝正品
 詢價
TI(德州儀器)
2447
DSBGA
315000
3000個/圓盤一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,
 詢價
更多CSD13201W10供應(yīng)商 更新時間2025-8-2 15:08:00

相關(guān)規(guī)格書

更多

相關(guān)庫存

更多