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CSD17559Q5中文資料德州儀器數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

CSD17559Q5
廠商型號

CSD17559Q5

功能描述

CSD17559Q5 30-V N-Channel NexFET? Power MOSFET

絲印標(biāo)識

CSD17559

封裝外殼

VSON-CLIP

文件大小

470.49 Kbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商 Texas Instruments
企業(yè)簡稱

TI2德州儀器

中文名稱

美國德州儀器公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-7-11 19:10:00

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CSD17559Q5規(guī)格書詳情

1 Features

1? Extremely Low Resistance

? Ultra-Low Qg and Qgd

? Low Thermal Resistance

? Avalanche Rated

? Pb Free Terminal Plating

? RoHS Compliant

? Halogen Free

? SON 5 mm × 6 mm Plastic Package

2 Applications

? Point of Load Synchronous Buck in Networking,

Telecom, and Computing Systems

? Synchronous Rectification

? Active ORing and Hotswap Applications

3 Description

This 30 V, 0.95 mΩ, 5 × 6 mm SON NexFET? power

MOSFET is designed to minimize losses in

synchronous rectification and other power conversion

applications.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    CSD17559Q5

  • 功能描述:

    MOSFET 30V N Ch NexFET Pwr MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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