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CSD19532Q5B

采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、4.9mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET

這款 100V、4mΩ、SON 5mm × 6mm NexFET?功率 MOSFET 被設(shè)計(jì)成在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中大大降低 損耗。; ? 低 Qg 和 Qgd\n? 低熱阻\n? 雪崩級(jí)\n? 無鉛引腳鍍層\n? 符合 RoHS 環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)\n? 無鹵素\n? SON 5mm × 6mm 塑料封裝;

TITexas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

TI

CSD19532Q5B

100V N-Channel NexFET Power MOSFET

TI1Texas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

TI1

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100 V N-Channel NexFET Power MOSFET

TI1Texas Instruments

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TI1

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100 V N-Channel NexFET??Power MOSFET

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CSD19532Q5B_16

100V N-Channel NexFET Power MOSFET

TI1Texas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

TI1

CSD19532Q5BT

100V N-Channel NexFET Power MOSFET

TI1Texas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

TI1

技術(shù)參數(shù)

  • Configuration：

    Single

  • Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)：

    4.9

  • IDM - pulsed drain current (Max) (A)：

    400

  • QG typ (nC)：

    48

  • QGD typ (nC)：

    8.7

  • Package (mm)：

    SON5x6

  • VGS (V)：

    20

  • VGSTH typ (V)：

    2.6

  • ID - silicon limited at Tc=25degC (A)：

    140

  • ID - package limited (A)：

    100

  • Logic level：

    No

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
TI
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更多CSD19532Q5B供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-8-2 14:24:00

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