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CSD22205L

采用 1.2mm x 1.2mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、9.9mΩ、-8V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET; ? 低電阻\n? 1.2mm × 1.2mm 小尺寸封裝\n? 扁平設(shè)計,高度為 0.35mm\n? 無鉛\n? 柵源電壓鉗位\n? 柵極 ESD 保護\n? 符合 RoHS 標準\n? 無鹵素;

該 –8V、8.2mΩ、1.2mm × 1.2mm 基板柵格陣列 (LGA) NexFET?器件旨在以超薄且具有出色散熱特性的最小外形尺寸封裝提供最低的導通電阻和柵極電荷。基板柵格陣列 (LGA) 封裝是一種帶有金屬接觸板(而非焊球)的器件芯片級封裝。

TITexas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

CSD22205L

8-V P-Channel NexFET Power MOSFET

TI1Texas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

CSD22205LT

8-V P-Channel NexFET Power MOSFET

TI1Texas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

MAX22205

65V,7.6AHighCurrentSingleH-BridgewithIntegratedCurrent-Sense

GeneralDescription TheMAX22205integratesahighcurrent65V,7.6AMAX H-BridgetodriveoneBrushedDCmotororonehalfSteppermotor.TheH-BridgeFETsfeatureverylowimpedance,resultinginhighdrivingefficiencyandlowheat.The typicaltotalRON(high-side+low-side)is0.15?.TheH

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導體技術(shù)有限公司

MIC22205

2A,Integrated,Switch,High-Efficiency

MicrelMicrel Semiconductor

麥瑞半導體

MIC22205YML

2A,Integrated,Switch,High-Efficiency

MicrelMicrel Semiconductor

麥瑞半導體

RTAC22205SADFG

1-4PolesCodedRotarySwitches

ITT

ITT Industries

RTAC22205SADFS

1-4PolesCodedRotarySwitches

ITT

ITT Industries

RTAC22205SSDFG

1-4PolesCodedRotarySwitches

ITT

ITT Industries

RTAC22205SSDFS

1-4PolesCodedRotarySwitches

ITT

ITT Industries

技術(shù)參數(shù)

  • VGS (V):

    -6

  • Configuration:

    Single

  • Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms):

    9.9

  • Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms):

    15

  • Rds(on) max at VGS=1.8 V (mOhms):

    40

  • Id peak (Max) (A):

    -71

  • Id max cont (A):

    -7.4

  • QG typ (nC):

    6.5

  • QGD typ (nC):

    1

  • QGS typ (nC):

    1.2

  • VGSTH typ (V):

    -0.7

  • Package (mm):

    LGA 1.2x1.2mm

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
TI
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原裝正品,現(xiàn)貨供應
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TI
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原裝正品優(yōu)勢供應支持實單
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只做原廠渠道 可追溯貨源
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支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。
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免費送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
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更多CSD22205L供應商 更新時間2025-7-29 14:01:00