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CSD25501F3

采用 0.6mm x 0.7mm LGA、具有柵極 ESD 保護的單路、76mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET; ? 低導(dǎo)通電阻\n? 超低 Qg 和 Qgd\n? 超小尺寸 \n? 0.7mm × 0.6mm\n \n? 薄型 \n? 最大高度為 0.22mm\n \n? 集成型靜電放電 (ESD) 保護二極管\n? 無鉛且無鹵素\n? 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn);

這款 –20V、64mΩ、P 溝道 FemtoFET?MOSFET 的設(shè)計經(jīng)過了優(yōu)化，能夠最大限度地減小許多手持式和移動類應(yīng)用的 尺寸。這項技術(shù)能夠在替代標(biāo)準(zhǔn)小信號 MOSFET 的同時大幅減小封裝尺寸。集成的 10k? 鉗位電阻器 (RC) 可根據(jù)占空比讓柵極電壓 (VGS) 高于最大內(nèi)部柵極氧化值 –6V。通過二極管的柵極泄漏 (IGSS) 隨著 VGS 增加到高于 –6V 而增加。

TITexas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

CSD25501F3

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/v/marking.html">V；Package：PICOSTAR；??0-V P-Channel FemtoFET MOSFET

TI1Texas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

CSD25501F3T

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/v/marking.html">V；Package：PICOSTAR；??0-V P-Channel FemtoFET MOSFET

TI1Texas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

技術(shù)參數(shù)

  • VGS (V)：

    -20

  • Configuration：

    Single

  • Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)：

    76

  • Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms)：

    125

  • Rds(on) max at VGS=1.8 V (mOhms)：

    260

  • Id peak (Max) (A)：

    -13.6

  • Id max cont (A)：

    -3.6

  • QG typ (nC)：

    1.02

  • QGD typ (nC)：

    0.09

  • QGS typ (nC)：

    0.45

  • VGSTH typ (V)：

    -0.75

  • Package (mm)：

    LGA 0.7x0.6mm

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更多CSD25501F3供應(yīng)商 更新時間2025-7-29 8:01:00

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