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CSD86311W1723中文資料德州儀器數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號 |
CSD86311W1723 |
功能描述 | Dual N-Channel NexFET??Power MOSFET |
文件大小 |
415.24 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
10 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Texas Instruments |
企業(yè)簡稱 |
TI【德州儀器】 |
中文名稱 | 美國德州儀器公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時(shí)間 | 2025-6-26 10:20:00 |
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產(chǎn)品屬性
- 型號:
CSD86311W1723
- 功能描述:
MOSFET Dual P-Channel Nex FET Pwr MOSFET
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TI/德州儀器 |
25+ |
原廠封裝 |
9999 |
詢價(jià) | |||
TI/德州儀器 |
24+ |
BGA-12 |
17500 |
鄭重承諾只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
TI/德州儀器 |
24+ |
BGA12 |
71893 |
只供應(yīng)原裝正品 歡迎詢價(jià) |
詢價(jià) | ||
TI/德州儀器 |
24+ |
DSBGA-12 |
9600 |
原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢供應(yīng),支持實(shí)單! |
詢價(jià) | ||
TI |
23+ |
NA |
602 |
專做原裝正品,假一罰百! |
詢價(jià) | ||
TI |
2025+ |
DSBGA-12 |
16000 |
原裝優(yōu)勢絕對有貨 |
詢價(jià) | ||
Texas Instruments |
24+ |
12-UFBGA,DSBGA |
30000 |
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品 |
詢價(jià) | ||
TI |
23+ |
NA |
20000 |
詢價(jià) | |||
22+ |
NA |
3450 |
加我QQ或微信咨詢更多詳細(xì)信息, |
詢價(jià) | |||
TI/德州儀器 |
23+ |
BGA |
3200 |
公司只做原裝,可來電咨詢 |
詢價(jià) |