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CSD86311W1723中文資料德州儀器數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

CSD86311W1723
廠商型號

CSD86311W1723

功能描述

Dual N-Channel NexFET??Power MOSFET

文件大小

415.24 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 Texas Instruments
企業(yè)簡稱

TI德州儀器

中文名稱

美國德州儀器公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-6-26 10:20:00

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產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    CSD86311W1723

  • 功能描述:

    MOSFET Dual P-Channel Nex FET Pwr MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
TI/德州儀器
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