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CY14B104NA-BA25XI

4 Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM

FunctionalDescription TheCypressCY14B104LA/CY14B104NAisafaststaticRAM,withanonvolatileelementineachmemorycell.Thememoryisorganizedas512Kbytesof8bitseachor256Kwordsof16bitseach.TheembeddednonvolatileelementsincorporateQuantumTraptechnology,producingthewo

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

CY14B104NA-BA25XI

4-Mbit (512 K x 8/256 K x 16) nvSRAM

FunctionalDescription TheCypressCY14B104LA/CY14B104NAisafaststaticRAM,withanonvolatileelementineachmemorycell.Thememoryisorganizedas512Kbytesof8bitseachor256Kwordsof16bitseach.TheembeddednonvolatileelementsincorporateQuantumTraptechnology,producingthewo

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

CY14B104NA-BA25XI

4-Mbit (512 K ? 8/256 K ? 16) nvSRAM

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

CY14B104NA-BA25XI

4-Mbit (512 K ? 8/256 K ? 16) nvSRAM

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賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

CY14B104NA-BA25XI

4-Mbit (512 K x 8/256 K x 16) nvSRAM 20 ns, 25 ns, and 45 ns access times

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CY14B104NA-BA25XI

Package:48-TFBGA;包裝:托盤 類別:集成電路(IC) 存儲(chǔ)器 描述:IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA

Cypress Semiconductor Corp

Cypress Semiconductor Corp

Cypress Semiconductor Corp

CY14B104NA-BA25XIT

4 Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM

FunctionalDescription TheCypressCY14B104LA/CY14B104NAisafaststaticRAM,withanonvolatileelementineachmemorycell.Thememoryisorganizedas512Kbytesof8bitseachor256Kwordsof16bitseach.TheembeddednonvolatileelementsincorporateQuantumTraptechnology,producingthewo

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

CY14B104NA-BA25XIT

4-Mbit (512 K x 8/256 K x 16) nvSRAM

FunctionalDescription TheCypressCY14B104LA/CY14B104NAisafaststaticRAM,withanonvolatileelementineachmemorycell.Thememoryisorganizedas512Kbytesof8bitseachor256Kwordsof16bitseach.TheembeddednonvolatileelementsincorporateQuantumTraptechnology,producingthewo

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

CY14B104NA-BA25XIT

4-Mbit (512 K ? 8/256 K ? 16) nvSRAM

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CY14B104NA-BA25XIT

4-Mbit (512 K x 8/256 K x 16) nvSRAM 20 ns, 25 ns, and 45 ns access times

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    CY14B104NA-BA25XI

  • 制造商:

    Cypress Semiconductor Corp

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器

  • 包裝:

    托盤

  • 存儲(chǔ)器類型:

    非易失

  • 存儲(chǔ)器格式:

    NVSRAM

  • 技術(shù):

    NVSRAM(非易失性 SRAM)

  • 存儲(chǔ)容量:

    4Mb(256K x 16)

  • 存儲(chǔ)器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字,頁:

    25ns

  • 電壓 - 供電:

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    48-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    48-FBGA(6x10)

  • 描述:

    IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
CYPRESS/賽普拉斯
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專業(yè)電子元器件供應(yīng)鏈/QQ 350053121 /正納電子
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更多CY14B104NA-BA25XI供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-28 15:08:00