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CY14B108L-ZS20XI

8 Mbit (1024K x 8/512K x 16) nvSRAM

FunctionalDescription TheCypressCY14B108L/CY14B108NisafaststaticRAM,withanonvolatileelementineachmemorycell.Thememoryisorganizedas1024Kbytesof8bitseachor512Kwordsof16bitseach.TheembeddednonvolatileelementsincorporateQuantumTraptechnology,producingthewor

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導體公司

CY14B108L-ZS20XI

8-Mbit (1024 K x 8/512 K x 16) nvSRAM Infinite Read, Write, and RECALL cycles

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CY14B108L-ZS20XI

8-Mbit (1024 K ? 8/512 K ? 16) nvSRAM

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CY14B108L-ZS20XI

Package：44-TSOP（0.400"，10.16mm 寬）；包裝：卷帶（TR） 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC NVSRAM 8MBIT PAR 44TSOP II

Cypress Semiconductor Corp

Cypress Semiconductor Corp

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CY14B108L-ZS20XIT

8 Mbit (1024K x 8/512K x 16) nvSRAM

FunctionalDescription TheCypressCY14B108L/CY14B108NisafaststaticRAM,withanonvolatileelementineachmemorycell.Thememoryisorganizedas1024Kbytesof8bitseachor512Kwordsof16bitseach.TheembeddednonvolatileelementsincorporateQuantumTraptechnology,producingthewor

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CY14B108L-ZS20XIT

8-Mbit (1024 K ? 8/512 K ? 16) nvSRAM

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CY14B108L-ZS20XIT

8-Mbit (1024 K x 8/512 K x 16) nvSRAM Infinite Read, Write, and RECALL cycles

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CY14B108L-ZS20XIT

Package：44-TSOP（0.400"，10.16mm 寬）；包裝：卷帶（TR） 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC NVSRAM 8MBIT PAR 44TSOP II

Cypress Semiconductor Corp

Cypress Semiconductor Corp

Cypress Semiconductor Corp

CY14B108L-ZS20XC

8Mbit(1024Kx8/512Kx16)nvSRAM

FunctionalDescription TheCypressCY14B108L/CY14B108NisafaststaticRAM,withanonvolatileelementineachmemorycell.Thememoryisorganizedas1024Kbytesof8bitseachor512Kwordsof16bitseach.TheembeddednonvolatileelementsincorporateQuantumTraptechnology,producingthewor

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導體公司

CY14B108L-ZS20XCT

8Mbit(1024Kx8/512Kx16)nvSRAM

FunctionalDescription TheCypressCY14B108L/CY14B108NisafaststaticRAM,withanonvolatileelementineachmemorycell.Thememoryisorganizedas1024Kbytesof8bitseachor512Kwordsof16bitseach.TheembeddednonvolatileelementsincorporateQuantumTraptechnology,producingthewor

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產品屬性

  • 產品編號：

    CY14B108L-ZS20XI

  • 制造商：

    Cypress Semiconductor Corp

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲器類型：

    非易失

  • 存儲器格式：

    NVSRAM

  • 技術：

    NVSRAM（非易失性 SRAM）

  • 存儲容量：

    8Mb（1M x 8）

  • 存儲器接口：

    并聯

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    20ns

  • 電壓 - 供電：

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    44-TSOP（0.400"，10.16mm 寬）

  • 供應商器件封裝：

    44-TSOP II

  • 描述：

    IC NVSRAM 8MBIT PAR 44TSOP II

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多CY14B108L-ZS20XI供應商 更新時間2025-2-11 22:59:00

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