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CY7C1911KV18

18-Mbit QDR? II SRAM Four-Word Burst Architecture

FunctionalDescription TheCY7C1311KV18,CY7C1911KV18,CY7C1313KV18,andCY7C1315KV18are1.8VSynchronousPipelinedSRAMs,equippedwithQDRIIarchitecture.QDRIIarchitectureconsistsoftwoseparateports:thereadportandthewriteporttoaccessthememoryarray.Thereadporthasdedica

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CY7C1911KV18-250BZC

18-Mbit QDR? II SRAM Four-Word Burst Architecture

FunctionalDescription TheCY7C1311KV18,CY7C1911KV18,CY7C1313KV18,andCY7C1315KV18are1.8VSynchronousPipelinedSRAMs,equippedwithQDRIIarchitecture.QDRIIarchitectureconsistsoftwoseparateports:thereadportandthewriteporttoaccessthememoryarray.Thereadporthasdedica

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18-Mbit QDR? II SRAM Four-Word Burst Architecture

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18-Mbit QDR? II SRAM Four-Word Burst Architecture

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CY7C1911KV18-333BZC

18-Mbit QDR? II SRAM Four-Word Burst Architecture

FunctionalDescription TheCY7C1311KV18,CY7C1911KV18,CY7C1313KV18,andCY7C1315KV18are1.8VSynchronousPipelinedSRAMs,equippedwithQDRIIarchitecture.QDRIIarchitectureconsistsoftwoseparateports:thereadportandthewriteporttoaccessthememoryarray.Thereadporthasdedica

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CY7C1911KV18-250BZC_12

18-Mbit QDR? II SRAM Four-Word Burst Architecture

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    CY7C1911KV18

  • 功能描述：

    靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 18Mb 1.8V 2Mb x 9

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Cypress Semiconductor

  • 存儲容量：

    16 Mbit

  • 組織：

    1 M x 16

  • 訪問時間：

    55 ns

  • 電源電壓-最大：

    3.6 V

  • 電源電壓-最小：

    2.2 V

  • 最大工作電流：

    22 uA

  • 最大工作溫度：

    + 85 C

  • 最小工作溫度：

    - 40 C

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    TSOP-48

  • 封裝：

    Tray

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更多CY7C1911KV18供應(yīng)商 更新時間2025-2-14 16:27:00

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