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D1065C5

5t h Generation thinQ!TM 650V SiC Schottky Diode

1Description Features ?Revolutionarysemiconductormaterial-SiliconCarbide ?Benchmarkswitchingbehavior ?Noreverserecovery/Noforwardrecovery ?Temperatureindependentswitchingbehavior ?Highsurgecurrentcapability ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?Qualifiedaccordin

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

AD1065C5

650V/10ASiliconCarbideSchottkyDiodeinTO247-3CoolSiC?AutomotiveSchottkyDiode650VG5

Features ?Revolutionarysemiconductormaterial-SiliconCarbide ?Benchmarkswitchingbehavior ?Noreverserecovery/Noforwardrecovery ?Temperatureindependentswitchingbehavior ?Highsurgecurrentcapability ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?JunctionTemperaturerangefrom-

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更多D1065C5供應商 更新時間2025-1-24 14:36:00

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