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D1211UK

OBSOLETE Gold metallised multi-purpose silicon DMOS RF FET

?Simplified amplifier design\n? Suitable for broad band applications\n? Very low C(rss)\n? Simple bias circuits\n? Low noise\n? High gain - 10 dB minimum\n;

TT ElectronicsTT Electronics.

TT電子公司梯梯電子集成制造服務(蘇州)有限公司

TT Electronics

D1211UK

METAL GATE RF SILICON FET

SEME-LAB

Seme LAB

SEME-LAB

DP1211

DekapotCoaxial-DialDecadePotentiometer

IET

IET Labs Inc.

IET

DRF1211

1000V,26A,30MHz

MOSFETDriverHybrid TheDRF1211hybridincludesahighpowergatedriverandthepower MOSFET.Itwasdesignedtoprovidethesystemdesignerincreased flexibilityandloweredcostoveranon-integratedsolution. FEATURES ?SwitchingFrequency:DCTO30MHz ?LowPulseWidthDistortion ?

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi

DS1211

NonvolatileControllerx8Chip

DESCRIPTION TheDS1211NonvolatileControllerx8ChipisaCMOScircuitwhichsolvestheapplicationproblemofconvertingCMOSRAMsintononvolatilememories.Incomingpowerismonitoredforanout-oftolerancecondition.Whensuchaconditionisdetected,thechipenablesareinhibitedtoaccom

DallasDallas Semiconductor

亞德諾亞德諾半導體

技術參數

  • Package：

    SO8

  • OperatingVoltage：

    12.5V

  • PowerOutput：

    10W

  • Configuration：

    Single-ended

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多D1211UK供應商 更新時間2025-8-2 16:31:00

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