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DMC3025LNS

COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET; Low On-Resistance\nLow Input Capacitance\nFast Switching Speed\nLow Input/Output Leakage\nComplementary Pair MOSFET;

This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.

DiodesDiodes Incorporated

美臺半導(dǎo)體

DMC3025LNS

COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導(dǎo)體

DMC3025LSD

30VCOMPLEMENTARYENHANCEMENTMODEMOSFET

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導(dǎo)體

DMC3025LSDQ

30VCOMPLEMENTARYENHANCEMENTMODEMOSFET

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導(dǎo)體

DME3025

SiliconBeam-LeadandChipSchottkyBarrierMixerDiodes

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分類制造商

DMHC3025LSD

30VCOMPLEMENTARYENHANCEMENTMODEMOSFETH-BRIDGE

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導(dǎo)體

DMHC3025LSDQ

30VCOMPLEMENTARYENHANCEMENTMODEMOSFETH-BRIDGE

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導(dǎo)體

DMN3025LFDF

30VN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導(dǎo)體

DMN3025LFG

30VN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導(dǎo)體

DMN3025LSS

LowOn-Resistance

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導(dǎo)體

技術(shù)參數(shù)

  • Automotive Compliant PPAP：

    No

  • Polarity：

    N+P

  • ESD Diodes：

    No

  • VDS：

    30 V

  • VGS：

    20 ±V

  • IDS @ TA = +25°C：

    7.2

  • PD @ TA = +25°C：

    1.8 W

  • RDS(ON) Max @ VGS (10V)：

    25

  • RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：

    35

  • RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：

    N/A mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：

    N/A mΩ

  • VGS (th) Max：

    2

  • QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：

    4.6

  • QG Typ @ VGS = 10V (nC)：

    9.8

  • Packages：

    PowerDI3333-8 (Type UXB)

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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DIODES/美臺
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SMD
880000
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
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更多DMC3025LNS供應(yīng)商 更新時間2025-7-28 15:01:00

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