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DMN2005UFGQ-13

Marking：N05；Package：PowerDI3333-8；20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

Features ?LowRDS(ON)—EnsuresOn-StateLossesareMinimized ?Small-FormFactorThermallyEfficientPackageEnablesHigher DensityEndProducts ?Occupies33oftheBoardAreaOccupiedbySO-8Enabling SmallerEndProduct ?100UnclampedInductiveSwitching,TestinProduction— EnsuresMor

DIODES

Diodes Incorporated

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Diodes Incorporated
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POWERDI3333-8
7800
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更多DMN2005UFGQ-13供應(yīng)商 更新時間2025-2-28 17:29:00

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