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DMNH6021SK3

60V +175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

This new generation MOSFET isdesigned to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.; Rated to +175°C – Ideal for High Ambient Temperature Environments\n100% Unclamped Inductive Switch (UIS) Test in Production\nLow On-Resistance\nFast Switching Speed;

DiodesDiodes Incorporated

美臺半導體

Diodes

DMNH6021SK3

Fast Switching Speed

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導體

DIODES

DMNH6021SK3

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/dpak/marking.html">DPAK；Package：TO-252；isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

ISC

DMNH6021SK3-13

Fast Switching Speed

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導體

DIODES

DMNH6021SK3Q

Fast Switching Speed

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導體

DIODES

DMNH6021SK3Q-13

Fast Switching Speed

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導體

DIODES

技術參數(shù)

  • Automotive Compliant PPAP：

    DMNH6021SK3Q

  • Polarity：

    N

  • ESD Diodes：

    No

  • VDS：

    60 V

  • VGS：

    20 ±V

  • IDS @ TA = +25°C：

    N/A A

  • PD @ TA = +25°C：

    3.7 W

  • RDS(ON) Max @ VGS (10V)：

    23 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：

    28 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：

    N/A mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：

    N/A mΩ

  • VGS (th) Max：

    3 V

  • QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：

    12.1 nC

  • QG Typ @ VGS = 10V (nC)：

    20.1 nC

  • Packages：

    TO252 (DPAK)

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Diodes Incorporated
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更多DMNH6021SK3供應商 更新時間2025-8-3 8:01:00

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