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DRA5中文資料三洋數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

DRA5
廠商型號

DRA5

功能描述

5.0A Reverse Blocking Thyristor

文件大小

99.83 Kbytes

頁面數(shù)量

3

生產(chǎn)廠商 Sanyo Semicon Device
企業(yè)簡稱

SANYO三洋

中文名稱

三洋電機株式會社官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-28 17:45:00

晶體管資料

  • 型號:

    DRA5B...G

  • 別名:

    DRA5三極管、DRA5晶體管、DRA5晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    50HZ-Thy

  • 性質(zhì):

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    600V

  • 最大電流允許值:

    5A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

    MCR218-...,TAG625-...,TIC116-...,

  • 最大耗散功率:

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    B-10

  • vtest:

    600

  • htest:

    999900

  • atest:

    5

  • wtest:

    0

DRA5規(guī)格書詳情

5.0A Reverse Blocking Thyristor

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    DRA5

  • 功能描述:

    開關晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 2.0x2.1mm

  • RoHS:

  • 制造商:

    ON Semiconductor

  • 晶體管極性:

    NPN/PNP

  • 安裝風格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min:

    200 mA

  • 最大工作頻率:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    50 V

  • 集電極連續(xù)電流:

    150 mA

  • 功率耗散:

    200 mW

  • 封裝:

    Reel

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