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DS1225Y

64K Nonvolatile SRAM

DESCRIPTION TheDS1225Y64kNonvolatileSRAMisa65,536-bit,fullystatic,nonvolatileRAMorganizedas8192wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuchaconditionoccu

DallasDallas Semiconductor

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體

DS1225Y

64K非易失SRAM; \n? 在沒有外部電源的情況下最少可以保存數(shù)據(jù)10年 \n? 掉電期間數(shù)據(jù)被自動(dòng)保護(hù) \n? 直接替代2k x 8易失靜態(tài)RAM或EEPROM \n? 沒有寫次數(shù)限制 \n? 低功耗CMOS操作 \n? JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的28引腳DIP封裝 \n? 150ns的讀寫時(shí)間 \n? ±10%工作范圍 \n? 可選的-40°C至+85°C工業(yè)級(jí)溫度范圍，指定為IND;

DS1225Y 64K非易失SRAM為65,536位、全靜態(tài)非易失RAM，按照8位、8192字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍，一旦超出容差范圍，鋰電池便自動(dòng)切換至供電狀態(tài)、寫保護(hù)將無條件使能、防止數(shù)據(jù)被破壞。NV SRAM可以直接替代現(xiàn)有的8k x 8 SRAM，符合通用的單字節(jié)寬、28引腳DIP標(biāo)準(zhǔn)。DS1225Y還與2764 EPROM及2864 EEPROM的引腳匹配，可直接替換并增強(qiáng)其性能。該器件沒有寫次數(shù)限制，可直接與微處理器接口、不需要額外的支持電路。

ADIAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

DS1225Y

64K Nonvolatile SRAM

ARTSCHIP

ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.

DS1225Y

64k Nonvolatile SRAM

MaximMaxim Integrated Products

美信美信半導(dǎo)體

DS1225Y-150

64K Nonvolatile SRAM

DESCRIPTION TheDS1225Y64kNonvolatileSRAMisa65,536-bit,fullystatic,nonvolatileRAMorganizedas8192wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuchaconditionoccu

DallasDallas Semiconductor

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體

DS1225Y-150-IND

64K Nonvolatile SRAM

DESCRIPTION TheDS1225Y64kNonvolatileSRAMisa65,536-bit,fullystatic,nonvolatileRAMorganizedas8192wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuchaconditionoccu

DallasDallas Semiconductor

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體

DS1225Y-170-IND

64K Nonvolatile SRAM

DESCRIPTION TheDS1225Y64kNonvolatileSRAMisa65,536-bit,fullystatic,nonvolatileRAMorganizedas8192wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuchaconditionoccu

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亞德諾亞德諾半導(dǎo)體

DS1225Y-200-IND

64K Nonvolatile SRAM

DESCRIPTION TheDS1225Y64kNonvolatileSRAMisa65,536-bit,fullystatic,nonvolatileRAMorganizedas8192wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuchaconditionoccu

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DS1225Y-150+

64k Nonvolatile SRAM

MaximMaxim Integrated Products

美信美信半導(dǎo)體

DS1225Y-150-IND

64K Nonvolatile SRAM

ARTSCHIP

ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    DS1225Y

  • 功能描述：

    NVRAM

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Maxim Integrated

  • 數(shù)據(jù)總線寬度：

    8 bit

  • 存儲(chǔ)容量：

    1024 Kbit

  • 組織：

    128 K x 8

  • 接口類型：

    Parallel

  • 訪問時(shí)間：

    70 ns

  • 電源電壓-最大：

    5.5 V

  • 電源電壓-最?。?/span>

    4.5 V

  • 工作電流：

    85 mA

  • 最大工作溫度：

    + 70 C

  • 最小工作溫度：

    0 C

  • 封裝/箱體：

    EDIP

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
DS
20+
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原廠原裝正品價(jià)格優(yōu)惠公司現(xiàn)貨歡迎查詢
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DS
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更多DS1225Y供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-30 15:17:00

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