DS1330Y集成電路(IC)的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
DS1330Y |
參數屬性 | DS1330Y 封裝/外殼為34-LPM;包裝為管件;類別為集成電路(IC)的存儲器;產品描述:IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 34LPM |
功能描述 | 256k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor |
封裝外殼 | 34-LPM |
文件大小 |
217.66 Kbytes |
頁面數量 |
10 頁 |
生產廠商 | Dallas Semiconductor |
企業(yè)簡稱 |
Dallas【亞德諾】 |
中文名稱 | 亞德諾半導體官網 |
原廠標識 | ![]() |
數據手冊 | |
更新時間 | 2025-3-24 18:12:00 |
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產品屬性
- 產品編號:
DS1330YL-70
- 制造商:
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
- 類別:
集成電路(IC) > 存儲器
- 包裝:
管件
- 存儲器類型:
非易失
- 存儲器格式:
NVSRAM
- 技術:
NVSRAM(非易失性 SRAM)
- 存儲容量:
256Kb(32K x 8)
- 存儲器接口:
并聯(lián)
- 寫周期時間 - 字,頁:
70ns
- 電壓 - 供電:
4.5V ~ 5.5V
- 工作溫度:
0°C ~ 70°C(TA)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
34-LPM
- 供應商器件封裝:
34-LPM
- 描述:
IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 34LPM
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
DALLAS |
2015+ |
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