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DS28E80

耐γ輻射1-Wire存儲(chǔ)器; ? 高耐γ輻射能力,允許用戶在醫(yī)療滅菌之前進(jìn)行編程制造或校準(zhǔn)數(shù)據(jù)\n? 承受高達(dá)75kGy (千戈瑞) γ輻射 \n? 可重編程248字節(jié)用戶存儲(chǔ)器\n\n\n? 較小的存儲(chǔ)塊大小,用戶存儲(chǔ)器編程較靈活 \n? 存儲(chǔ)器分為8字節(jié)存儲(chǔ)塊 \n? 每個(gè)存儲(chǔ)塊可寫8次 \n? 每個(gè)存儲(chǔ)塊均提供用戶可編程寫保護(hù)\n\n\n? 高級1-Wire協(xié)議,將接口減小為單觸點(diǎn) \n? 緊湊的封裝和單IO接口,減小電路板空間,增強(qiáng)可靠性 \n? 唯一的工廠編程64位識別碼 \n? 1-Wire標(biāo)準(zhǔn)速率(最大15.3kbps)和高速(最大76kbps)通信 \n? 工作范圍:3.3V ±10%,-40°C至+ 85°C,讀操作;0°C至+50°C,寫操作 \n? IO引腳具有±8kV HBM ESD保護(hù)(典型值) \n? 6引腳TDFN封裝;

DS28E80為用戶可編程非易失存儲(chǔ)器芯片。與浮柵存儲(chǔ)單元相比,DS28E80采用了耐γ輻射的存儲(chǔ)單元技術(shù)。DS28E80具有248字節(jié)用戶存儲(chǔ)器,分成8字節(jié)大小的存儲(chǔ)塊,每個(gè)存儲(chǔ)塊可具有寫保護(hù),每個(gè)存儲(chǔ)塊可寫8次。DS28E80通過單觸點(diǎn)1-Wire?總線進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)速率或高速率通信。每片器件都擁有唯一的64位識別碼,由工廠寫至芯片。通信符合1-Wire協(xié)議,在多器件的1-Wire網(wǎng)絡(luò)中,64位識別碼作為節(jié)點(diǎn)地址。我們的“安全給藥”視頻介紹如何利用Maxim安全產(chǎn)品保證遠(yuǎn)程給藥安全。\n\n \n\n

ADIAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

DS28E80

Demonstrates the Features of the DS28E80 IC

MaximMaxim Integrated Products

美信美信半導(dǎo)體

DS28E80EVKIT

Demonstrates the Features of the DS28E80 IC

MaximMaxim Integrated Products

美信美信半導(dǎo)體

DS28E80EVKIT

包裝:散裝 功能:EEPROM 類別:開發(fā)板,套件,編程器 評估和演示板及套件 描述:EVAL KIT FOR DS28E80

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

DS28E80Q+T

Package:6-WDFN 裸露焊盤;包裝:卷帶(TR) 類別:集成電路(IC) 存儲(chǔ)器 描述:IC EEPROM 2KBIT 1-WIRE 6TDFN

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

DS28E80Q+U

Package:6-WDFN 裸露焊盤;包裝:托盤 類別:集成電路(IC) 存儲(chǔ)器 描述:IC EEPROM 2KBIT 1-WIRE 6TDFN

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

技術(shù)參數(shù)

  • Memory Type:

    EEPROM

  • Memory Size:

    2K x 1

  • Bus Type:

    1-Wire

  • Features:

    Radiation Resistant

  • VSUPPLY (min)(V):

    2.97

  • VSUPPLY (max)(V):

    3.63

  • RoHS Available:

    Yes

  • Oper. Temp.(°C):

    -40 to +85

  • Package/ Pins:

    TDFN HYBRID/6

  • Smallest Available Pckg. (max w/pins)(mm2):

    9.6

  • Budgetary Price (See Notes):

    $0.87 @1k

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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更多DS28E80供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-30 18:49:00