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DSS2540M

40V LOW VCE(sat) NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR

Features ?BVCEO>40V ?IC=500mAHighCollectorCurrent ?ICM=1APeakPulseCurrent ?PD=1000mWPowerDissipation ?LowCollector-EmitterSaturationVoltage,VCE(sat) ?0.60mm2PackageFootprint,13timesSmallerthanSOT23 ?0.5mmHeightPackageMinimizingOff-BoardProfile ?Compl

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導(dǎo)體

DIODES

DSS2540M

NPN, 40V, 0.5A, DFN1006-3

DiodesDiodes Incorporated

美臺半導(dǎo)體

Diodes

DSS2540M-7

40V LOW VCE(sat) NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR

Features ?BVCEO>40V ?IC=500mAHighCollectorCurrent ?ICM=1APeakPulseCurrent ?PD=1000mWPowerDissipation ?LowCollector-EmitterSaturationVoltage,VCE(sat) ?0.60mm2PackageFootprint,13timesSmallerthanSOT23 ?0.5mmHeightPackageMinimizingOff-BoardProfile ?Compl

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導(dǎo)體

DIODES

DSS2540M-7B

40V LOW VCE(sat) NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR

Features ?BVCEO>40V ?IC=500mAHighCollectorCurrent ?ICM=1APeakPulseCurrent ?PD=1000mWPowerDissipation ?LowCollector-EmitterSaturationVoltage,VCE(sat) ?0.60mm2PackageFootprint,13timesSmallerthanSOT23 ?0.5mmHeightPackageMinimizingOff-BoardProfile ?Compl

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導(dǎo)體

DIODES

DSS2540M_15

40V NPN LOW VCE(sat) TRANSISTOR

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導(dǎo)體

DIODES

DSS2540M-7B

Package：3-UFDFN；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 描述：TRANS NPN 40V 0.5A 3DFN

PAMDiodes Incorporated

龍鼎微龍鼎微電子（上海）有限公司

PAM

技術(shù)參數(shù)

  • Compliance (Only Automotive supports PPAP)：

    On Request*

  • Product Type：

    NPN

  • IC (A)：

    0.5 A

  • ICM (A)：

    1 A

  • PD (W)：

    0.25 W

  • hFE (min)：

    200 Min

  • hFE(@ IC)：

    0.01 A

  • hFE(Min 2)：

    50

  • hFE(@ IC2)：

    0.5 A

  • VCE (SAT)Max (mV)：

    50 mV

  • VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/m A) (A/m A)：

    0.5/50

  • VCE (SAT)(Max.2)：

    250 mV

  • VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)：

    0.1/1

  • fT (MHz)：

    250 MHz

  • RCE(SAT)：

    500 mΩ

  • Packages：

    X1-DFN1006-3

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
DFN1006
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更多DSS2540M供應(yīng)商 更新時間2025-8-2 17:00:00

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