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DSS3540M分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料

DSS3540M
廠商型號

DSS3540M
參數屬性

DSS3540M 封裝/外殼為3-UFDFN；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產品描述：TRANS PNP 40V 0.5A 3DFN
功能描述

40V LOW VCE(sat) PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR
封裝外殼

3-UFDFN
文件大小

132.54 Kbytes
頁面數量

5 頁
生產廠商 Diodes Incorporated
企業(yè)簡稱

DIODES【美臺半導體】

中文名稱

美臺半導體官網
原廠標識
數據手冊

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更新時間

2025-7-17 11:36:00
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DSS3540M規(guī)格書詳情

Features

? BVCEO > -40V

? IC = -500mA High Collector Current

? ICM = -1A Peak Pulse Current

? PD = 1000mW Power Dissipation

? Low Collector-Emitter Saturation Voltage, VCE(sat)

? 0.60mm2 Package Footprint, 13 times Smaller than SOT23

? 0.5mm Height Package Minimizing Off-Board Profile

? Complementary NPN Type DSS2540M

? Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)

? Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3)

? Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

產品屬性

  • 產品編號：

    DSS3540M-7B

  • 制造商：

    Diodes Incorporated

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    350mV @ 50mA，500mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100nA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    150 @ 100mA，2V

  • 頻率 - 躍遷：

    100MHz

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    3-UFDFN

  • 供應商器件封裝：

    X1-DFN1006-3

  • 描述：

    TRANS PNP 40V 0.5A 3DFN

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
DIODES
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DFN1006-3
15000
原裝現貨假一賠十
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