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ECH8664R-TL-H中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

ECH8664R-TL-H
廠商型號(hào)

ECH8664R-TL-H
功能描述

N-Channel Power MOSFET
文件大小

303.26 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

7 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-4-29 11:00:00
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ECH8664R-TL-H規(guī)格書(shū)詳情

Features

? Low ON-resistance

? Built-in gate protection resistor

? 2.5V drive

? Best suited for LiB charging and discharging switch

? Common-drain type

? Halogen free compliance

? Protection diode in

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào)：

    ECH8664R-TL-H

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH DUAL 30V 7A ECH8

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列

  • 系列：

    -

  • 產(chǎn)品目錄繪圖：

    8-SOIC Mosfet Package

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1

  • 系列：

    - FET

  • 型：

    2 個(gè) N 溝道（雙） FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門(mén)

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    3A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)（最大）：

    3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    20nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    - 功率 -

  • 最大：

    1.4W

  • 安裝類型：

    表面貼裝

  • 封裝/外殼：

    PowerPAK? SO-8

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    PowerPAK? SO-8

  • 包裝：

    Digi-Reel®

  • 產(chǎn)品目錄頁(yè)面：

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名稱：

    SI7948DP-T1-GE3DKR

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ON
21+
NA
3000
進(jìn)口原裝 假一罰十 現(xiàn)貨
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SANYO/三洋
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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ON/安森美
NA
275000
一級(jí)代理原裝正品,價(jià)格優(yōu)勢(shì),長(zhǎng)期供應(yīng)!
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20+
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20000
原裝正品,優(yōu)勢(shì)訂貨
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