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IRF3808SPBF	文件：264.76 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedProcessTechnology Description ThisAdvancedPlanarStripeHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesofthisHEXFETpowerMOSFETarea175°Cjunctionoperatingtemperature,lowRθJC,fastswitchingspeedandimproved	IRF International Rectifier	IRF
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