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EMD04N60F	文件：173.65 Kbytes Page：5 Pages	N??hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
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H04N60	文件：60.85 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerFieldEffectTransistor Description ThisadvancedhighvoltageMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalanchemodeandswitchefficiently.Thisnewhighenergydevicealsooffersadrain-to-sourcediodewithfastrecoverytime.Designedforhighvoltage,highspeedswitchingapplicationssuchaspowersupl	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 華昕華昕科技有限公司	HSMC
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H04N60F	文件：60.85 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerFieldEffectTransistor Description ThisadvancedhighvoltageMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalanchemodeandswitchefficiently.Thisnewhighenergydevicealsooffersadrain-to-sourcediodewithfastrecoverytime.Designedforhighvoltage,highspeedswitchingapplicationssuchaspowersupl	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 華昕華昕科技有限公司	HSMC
IGU04N60T	文件：464.28 Kbytes Page：12 Pages	LowLossIGBT:IGBTinTRENCHSTOP??technology	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IGU04N60T	文件：349.79 Kbytes Page：12 Pages	IGBTinTRENCHSTOPtechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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更多EMD04N60F供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-11 11:00:00

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