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F20P10G

P-Channel Enhancement MOSFET

Features ?VDS=-100V,ID=-20A ?RDS(ON)=86mΩ@VGS=-10V(Typ.) ?RDS(ON)=90mΩ@VGS=-4.5V(Typ.) ?HighPowerandcurrenthandingcapability ?Leadfreeproductisacquired ?SurfaceMountPackage MainApplications ?BatteryProtection ?LoadSwitch ?PowerManagement

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd

唯圣電子唯圣電子有限公司

MCU20P10

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

MTH20P10

iscP-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=-20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.15Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MTM20P10

POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTM20P10

iscP-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=-20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.15Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MTM20P10

PowerFieldEffectTransistor

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

NCE20P10J

NCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description TheNCE20P10Jusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgate voltages.Thisdeviceissuitableforuseasaloadswitching applicationandawidevarietyofotherapplications. GeneralFeatures ●VDS=-20V,ID=-10A RDS(ON)

NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

無錫新潔能股份無錫新潔能股份有限公司

PAL20P10

ProgammableArrayLogicSeries24(PALSeries24)

NSCNational Semiconductor (TI)

美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司

PAL20P10A

ProgammableArrayLogicSeries24(PALSeries24)

NSCNational Semiconductor (TI)

美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司

PAL20P10AC

ProgammableArrayLogicSeries24(PALSeries24)

NSCNational Semiconductor (TI)

美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司

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更多F20P10G供應(yīng)商 更新時間2025-1-28 16:00:00

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