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F3L100R07W2E3_B11中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

F3L100R07W2E3_B11
廠商型號(hào)

F3L100R07W2E3_B11
功能描述

EasyPACK module with Trench/Fieldstopp IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and PressFIT / NTC
文件大小

665.57 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

10 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡(jiǎn)稱

INFINEON【英飛凌】

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-6-7 17:30:00
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產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào)：

    F3L100R07W2E3_B11

  • 功能描述：

    IGBT 模塊 IGBT MODULES 650V 100A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 產(chǎn)品：

    IGBT Silicon Modules

  • 配置：

    Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    600 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    1.95 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    230 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    445 W

  • 最大工作溫度：

    + 125 C

  • 封裝/箱體：

    34MM

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
INFINEON/英飛凌
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