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FAN3121	文件：1.34044 Mbytes Page：21 Pages	Single 9A High-Speed, Low-Side Gate Driver Description TheFAN3121andFAN3122MOSFETdriversaredesignedtodriveN-channelenhancementMOSFETsinlow-sideswitchingapplicationsbyprovidinghighpeakcurrentpulses.ThedriversareavailablewitheitherTTLinputthresholds(FAN312xT)orVDD-proportionalCMOSinputthresholds(FAN312x	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司
FAN3121	文件：1.61715 Mbytes Page：21 Pages	Single 9-A High-Speed, Low-Side Gate Driver	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司
FAN3121	文件：3.36067 Mbytes Page：21 Pages	Single 9-A High-Speed, Low-Side Gate Driver	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
FAN3121C	文件：1.41935 Mbytes Page：24 Pages	Gate Drivers, High-Speed, Low-Side, Dual 4-A Description TheFAN3223?25familyofdual4Agatedriversisdesignedto driveN?channelenhancement?modeMOSFETsinlow-side switchingapplicationsbyprovidinghighpeakcurrentpulsesduring theshortswitchingintervals.ThedriverisavailablewitheitherTTL orCMOSinputthresholds.I	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
FAN3121C	文件：300 bytes Page：1 Pages	CMOS 輸入、單通道同相輸入、11.4 A 峰值灌電流、10.6 A 源電流低端柵極驅(qū)動(dòng)器 FAN3121 和 FAN3122 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)為通過提供高峰值電流脈沖來驅(qū)動(dòng)低側(cè)開關(guān)應(yīng)用中的 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET。此類驅(qū)動(dòng)器可以提供TTL (FAN312xT)或CMOS (FAN312xC)輸入閾值。內(nèi)部電路可使輸出保持低電平狀態(tài)，直到電源電壓進(jìn)入工作范圍，從而提供欠壓鎖定功能。 FAN312x 驅(qū)動(dòng)器內(nèi)置用于最終輸出級(jí)的 MillerDrive? 架構(gòu)。這一雙極性/MOSFET 組合可在 MOSFET 開/關(guān)過程的米勒平臺(tái)區(qū)域期間提供最高的峰值電流。 FAN3121 和 FAN3122 驅(qū)動(dòng)器在引腳 3 (EN)上實(shí)施使能功能，這在過去業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)引腳排列上未曾用過。該; ? 帶使能輸入的業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)引腳排列\(zhòng)n? 4.5 到 18 V 工作范圍\n? 11.4 A 峰值灌電流, VDD = 12 V\n? 9.7A灌電流/7.1A源電流，VOUT = 6 V\n? 反相配置(FAN3121)和同相配置(FAN3122)\n? 無輸入時(shí)內(nèi)部電阻關(guān)閉驅(qū)動(dòng)器\n? 10nF負(fù)載時(shí)具有23ns/19ns（典型值）的上升/下降時(shí)間\n? 20ns典型傳播延遲時(shí)間\n? 可選擇 TTL 或 CMOS 輸入閾值\n? MillerDrive? 技術(shù)\n? 以熱保護(hù)增強(qiáng)3x3毫米 8引腳MLP或8引腳SOIC封裝（無鉛工藝）形式提供\n? 額定溫度為 –40°C 到 +125°C;	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
FAN3121CMPX	文件：1.34044 Mbytes Page：21 Pages	Single 9A High-Speed, Low-Side Gate Driver Description TheFAN3121andFAN3122MOSFETdriversaredesignedtodriveN-channelenhancementMOSFETsinlow-sideswitchingapplicationsbyprovidinghighpeakcurrentpulses.ThedriversareavailablewitheitherTTLinputthresholds(FAN312xT)orVDD-proportionalCMOSinputthresholds(FAN312x	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司
FAN3121CMPX	文件：1.29144 Mbytes Page：21 Pages	Single 9-A High-Speed,Low-Side Gate Driver Description TheFAN3121andFAN3122MOSFETdriversaredesignedtodrive N?channelenhancementMOSFETsinlow?sideswitching applicationsbyprovidinghighpeakcurrentpulses.Thedriversare availablewitheitherTTLinputthresholds(FAN312xT)or VDD?proportionalCMOSinputthresholds(FAN	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
FAN3121CMX	文件：1.34044 Mbytes Page：21 Pages	Single 9A High-Speed, Low-Side Gate Driver Description TheFAN3121andFAN3122MOSFETdriversaredesignedtodriveN-channelenhancementMOSFETsinlow-sideswitchingapplicationsbyprovidinghighpeakcurrentpulses.ThedriversareavailablewitheitherTTLinputthresholds(FAN312xT)orVDD-proportionalCMOSinputthresholds(FAN312x	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司
FAN3121CMX	文件：1.29144 Mbytes Page：21 Pages	Single 9-A High-Speed,Low-Side Gate Driver Description TheFAN3121andFAN3122MOSFETdriversaredesignedtodrive N?channelenhancementMOSFETsinlow?sideswitching applicationsbyprovidinghighpeakcurrentpulses.Thedriversare availablewitheitherTTLinputthresholds(FAN312xT)or VDD?proportionalCMOSinputthresholds(FAN	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
FAN3121CMX-F085	文件：1.82072 Mbytes Page：20 Pages	Single 9-A High-Speed,Low-Side Gate Driver Description TheFAN3121andFAN3122MOSFETdriversaredesignedtodrive N?channelenhancementMOSFETsinlow?sideswitching applicationsbyprovidinghighpeakcurrentpulses.Thedriversare availablewitheitherTTLinputthresholds(FAN312xT)or VDD?proportionalCMOSinputthresholds(FAN	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI

技術(shù)參數(shù)

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Power Switch：
MOSFET
Number of Outputs：
1
Topology：
Single
Isolation Type：
Non-Isolated
VCC Max (V)：
18
Drive Source/Sink Typ (mA)：
11400/10600
Rise Time (ns)：
23
Fall Time (ns)：
19
tp Max (ns)：
28
Package Type：
SOIC-8

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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