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FCH070N60E

功率 MOSFET,N 溝道,SUPERFET? II,Easy Drive,600 V,52 A,70 mΩ,TO-247

SuperFET? II MOSFET 是飛兆利用電荷平衡技術(shù)實現(xiàn)出色的低導(dǎo)通電阻和更低柵極電荷性能的全新高壓超級結(jié) (SJ) MOSFET 系列產(chǎn)品。 這項技術(shù)專用于最小化導(dǎo)通損耗并提供卓越的開關(guān)性能、dv/dt 額定值和更高雪崩能量。 因此,與SuperFET II MOSFET系列相比,SuperFET II MOSFET 易驅(qū)動系列提供略為緩慢的上升和下降時間。 注意以“E”作為后綴的系列產(chǎn)品有助于控制EMI問題和允許更簡單的設(shè)計執(zhí)行。 對于開關(guān)速度很快同時需要開關(guān)損耗必須盡可能低的應(yīng)用,請考慮使用Super-FET II MOSFET 系列。; ?650 V(TJ=150°C)\n?典型值 RDS(on) = 58 mΩ\n?超低柵極電荷(典型值 Qg = 128 nC)\n?低有效輸出電容(典型值 Coss(eff.) = 457 pF)\n?100% 經(jīng)過雪崩擊穿測試\n?符合 RoHS 標準\n;

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

FCH070N60E

isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

ISC

FCH070N60E

Telecom / Sever Power Supplies

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

Fairchild

SIHH070N60EF

EFSeriesPowerMOSFETWithFastBodyDiode

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

Vishay

FCH072N60F

ON
N/O

ON

技術(shù)參數(shù)

  • Pb-free:

    Pb

  • Halide free:

    H

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • Configuration:

    Single

  • V(BR)DSS Min (V):

    600

  • VGS Max (V):

    DC

  • VGS(th) Max (V):

    3.5

  • ID Max (A):

    52

  • PD Max (W):

    481

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    70

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    128

  • Ciss Typ (pF):

    3705

  • Package Type:

    TO-247-3

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
FAIRCHILD/仙童
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9000
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更多FCH070N60E供應(yīng)商 更新時間2025-8-2 15:08:00