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FCH104N60F

功率 MOSFET,N 溝道,SUPERFET? II,F(xiàn)RFET?,600 V,37 A,104 mΩ,TO-247

SuperFET? II MOSFET 是飛兆利用電荷平衡技術(shù)實(shí)現(xiàn)出色的低導(dǎo)通電阻和更低柵極電荷性能的全新高壓超級(jí)結(jié) (SJ) MOSFET 系列產(chǎn)品。 這項(xiàng)技術(shù)專(zhuān)用于最小化導(dǎo)通損耗并提供卓越的開(kāi)關(guān)性能、dv/dt 額定值和更高雪崩能量。 因此,SuperFET MOSFET 非常適合開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用,如功率因數(shù)校正(PFC)、服務(wù)器/電信電源、平板電視電源、ATX 電源及工業(yè)電源應(yīng)用。 SuperFET II FRFET? MOSFET 優(yōu)化體二極管的反向恢復(fù)性能可去除額外元件,提高系統(tǒng)可靠性。; ? RDS(開(kāi))=104 mΩ (最大值)\n?超低柵極電荷(典型值 Qg = 107 nC)\n?低效輸出電容100%經(jīng)過(guò)雪崩測(cè)試\n?符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)\n?RoHS Compliant\n;

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

FCH104N60F

N-Channel SuperFET? II FRFET? MOSFET

Description SuperFET?IIMOSFETisFairchildSemiconductor’sbrand-newhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thistechnologyistailoredtominimizeconductionloss,provides

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

Fairchild

FCH104N60F

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=37A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=104mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

ISC

FCH104N60F_F085

N 溝道,SuperFET II? FRFET MOSFET 600V,37A,91mΩ

SuperFET? II MOSFET 是飛兆利用電荷平衡技術(shù)實(shí)現(xiàn)出色的低導(dǎo)通電阻 和更低柵極電荷性能的全新高壓超級(jí)結(jié) (SJ) MOSFET 系列產(chǎn)品。 這項(xiàng)技術(shù)專(zhuān)用于最小化導(dǎo)通損耗并提供卓越的開(kāi)關(guān)性能、dv/dt 額定值和更高雪崩能量。因此 SuperFETII 非常適合軟開(kāi)關(guān)和硬開(kāi)關(guān)拓?fù)?,如高電壓全橋和半?DC-DC、交錯(cuò)式 PFC 升壓、HEV-EV 汽車(chē) PFC 升壓。SuperFET II FRFET? MOSFET 優(yōu)化體二極管的反向恢復(fù)性能可去除額外元件,提高系統(tǒng)可靠性。; ? 典型值 RDS(on) = 91 mΩ(VGS = 10 V、ID = 18.5 A)\n? 典型值 Qg(tot) = 109 nC(VGS = 10 V、ID = 18.5 A)\n? UIS 能力\n? 符合 AEC Q101 標(biāo)準(zhǔn)\n? 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)\n;

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

FCH104N60F-F085

絲?。?strong>FCH104N60F;Package:TO-247;MOSFET – N-Channel, SUPERFET II, FRFET 600 V, 37 A, 104 m

Description SUPERFET?IIMOSFETisONSemiconductor’sbrand?newhigh voltagesuper?junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingcharge balancetechnologyforoutstandinglowon?resistanceandlowergate chargeperformance.Thistechnologyistailoredtominimize conductionloss,providesupe

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

技術(shù)參數(shù)

  • Pb-free:

    Pb

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • Configuration:

    Single

  • V(BR)DSS Min (V):

    600

  • VGS Max (V):

    DC

  • VGS(th) Max (V):

    5

  • ID Max (A):

    37

  • PD Max (W):

    357

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    104

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    107

  • Ciss Typ (pF):

    4475

  • Package Type:

    TO-247-3

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
ONSEMI/安森美
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TO-247
4550
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更多FCH104N60F供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-8-3 14:14:00