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FD600R12IP4D

PrimePACK2 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4, groberer Emitter Controlled 4 Diode and NTC

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DF600R12IP4D

PrimePACK??ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4,gr??ererEmitterControlled4Diode

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FF600R12IP4

EvaluationDriverBoardfor1200VPrimePACK?

1Introduction The2ED250E12-FevaluationdriverboardshowninFig.1wasdevelopedtosupportcustomersduringtheir firstdesignstepswiththe1200VPrimePACK?IGBTmodule.Theevaluationdriverboardisafully functionalIGBTmoduledriverwheretwo1ED020I12-FdriverICprocesscontrola

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FF600R12IP4

PrimePACK2ModulmitTrench

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FF600R12IP4

PrimePACK??ModulmitTrench/FieldstoppIGBT4undEmitterControlled4DiodeundNTC

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FF600R12IP4P

PrimePACK?2ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlledDiodeundbereitsaufgetragenemThermalInterfaceMaterial

ElectricalFeatures ?Highshort-circuitcapability ?Highsurgecurrentcapability ?Highcurrentdensity ?Tvjop=150°C ?VCEsatwithpositivetemperaturecoefficient MechanicalFeatures ?4kVAC1mininsulation ?PackagewithCTI>400 ?Highcreepageandclearancedistances ?In

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FF600R12IP4V

PrimePACK?2modulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diodeandNTC

ElectricalFeatures ?ExtendedOperationTemperatureTvjop ?HighDCStability ?HighShortCircuitCapability,SelfLimitingShort CircuitCurrent ?LowVCEsat ?UnbeatableRobustness ?VCEsatwithpositiveTemperatureCoefficient MechanicalFeatures ?4kVAC1minInsulation ?Packag

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    FD600R12IP4D

  • 功能描述：

    IGBT 模塊 IGBT 1200V 600A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 產(chǎn)品：

    IGBT Silicon Modules

  • 配置：

    Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    600 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    1.95 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    230 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    445 W

  • 最大工作溫度：

    + 125 C

  • 封裝/箱體：

    34MM

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多FD600R12IP4D供應(yīng)商 更新時間2025-1-9 17:00:00

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