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FDB120N10中文資料無錫固電數據手冊PDF規(guī)格書

FDB120N10
廠商型號

FDB120N10

功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件大小

400.94 Kbytes

頁面數量

2

生產廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導體股份有限公司官網

原廠標識
數據手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-4 23:00:00

FDB120N10規(guī)格書詳情

FEATURES

·Drain Current : ID= 74A@ TC=25℃

·Drain Source Voltage

: VDSS= 100V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance

: RDS(on) = 12mΩ(Max) @ VGS= 10V

·100 avalanche tested

·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

DESCRIPTION

·motor drive, DC-DC converter, power switch

and solenoid drive.

產品屬性

  • 型號:

    FDB120N10

  • 功能描述:

    MOSFET 100V N-Chan 12Mohm PowerTrench

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ON/安森美
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TO263
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原廠可訂貨,技術支持,直接渠道??珊灡9┖贤?/div>
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