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FDI3652

N-ChannelPowerTrenchMOSFET100V,61A,16m?

Features ?rDS(ON)=14m?(Typ.),VGS=10V,ID=61A ?Qg(tot)=41nC(Typ.),VGS=10V ?LowMillerCharge ?LowQRRBodyDiode ?UISCapability(SinglePulseandRepetitivePulse) ?QualifiedtoAECQ101 Applications ?DC/DCConvertersandOff-lineUPS ?DistributedPowerArchitectures

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FDI3652

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=61A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=16mΩ(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·Designedforuseinswitchmo

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

FDP3652

N-ChannelPowerTrenchMOSFET100V,61A,16m?

Features ?rDS(ON)=14m?(Typ.),VGS=10V,ID=61A ?Qg(tot)=41nC(Typ.),VGS=10V ?LowMillerCharge ?LowQRRBodyDiode ?UISCapability(SinglePulseandRepetitivePulse) ?QualifiedtoAECQ101 Applications ?DC/DCConvertersandOff-lineUPS ?DistributedPowerArchitectures

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FDP3652

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=61A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=16mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

GPDR3652

RECTIFIERDIODE

GPSEMI

Green Power Solutions srl

GPDR3652

RECTIFIERDIODE

RECTIFIERDIODE VOLTAGEUPTO2400V AVERAGECURRENT6520A SURGECURRENT60kA

GPSEMI

Green Power Solutions srl

HP-3652-B

HANDHELDPLASTICSTYLE2

BUD

Bud Industries, Inc.

JHV3652

HIGHVOLTAGERECTIFIERASSEMBLY

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

KDB3652

N-ChannelPowerTrenchMOSFET

Features ●rDS(ON)=14mΩ(Typ.),VGS=10V,ID=61A ●Qg(tot)=41nC(Typ.),VGS=10V ●LowMillerCharge ●LowQRRBodyDiode ●UISCapability(SinglePulseandRepetitivePulse)

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

LT3652

HighVoltageHighCurrentControllerforBatteryChargingandPowerManagement

LINERLinear Technology

凌力爾特凌特半導(dǎo)體

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    FDB3652_Q

  • 功能描述：

    MOSFET N-Channel PowerTrench

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Fairchild
23+
D2PAK(TO-263AB)
7750
全新原裝優(yōu)勢
 詢價
三年內(nèi)
1983
只做原裝正品
 詢價
ON Semiconductor
21+
TO-263AB
41600
進(jìn)口原裝!長期供應(yīng)!絕對優(yōu)勢價格(誠信經(jīng)營)!!
 詢價
ON/安森美
24+
D2PAK-3
25500
授權(quán)代理直銷,原廠原裝現(xiàn)貨,假一罰十,特價銷售
 詢價
ON
1809+
TO-263
1675
就找我吧!--邀您體驗愉快問購元件!
 詢價
ON Semiconductor
2022+
TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
 詢價
onsemi(安森美)
23+
TO263AB
7350
現(xiàn)貨供應(yīng),當(dāng)天可交貨!免費送樣,原廠技術(shù)支持!!!
 詢價
ONSEMI/安森美
22+
TO-263
12500
原裝正品支持實單
 詢價
ONSEMI/安森美
23+
TO-263-2
360000
交期準(zhǔn)時服務(wù)周到
 詢價
FAIRCHILD/仙童
23+
TO-263
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價
更多FDB3652_Q供應(yīng)商 更新時間2025-1-25 14:04:00

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