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FDD6635

35V N-Channel PowerTrench MOSFET

GeneralDescription ThisN-ChannelMOSFEThasbeenproducedusingFairchildSemiconductor’sproprietaryPowerTrenchtechnologytodeliverlowRdsonandoptimizedBvdsscapabilitytooffersuperiorperformancebenefitintheapplications. Features ?59A,35VRDS(ON)=10mΩ@VGS=10VRDS(ON

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

Fairchild

FDD6635

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=59A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=35V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=10mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

ISC

FDD6635

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features ?VDS=30V,ID=80A RDS(ON)

BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED

百域芯深圳市百域芯科技有限公司

Bychip

FDD6635

N 溝道，PowerTrench? MOSFET，35V，59A，10mΩ

此N溝道MOSFET使用飛兆半導體專有PowerTrench技術(shù)生產(chǎn)，具有低Rdson和優(yōu)化的Bvdss能力，在各種應用中都具有優(yōu)異的性能。; ?59 A, 35V\n?最大RDS(ON) = 10 mΩ @ VGS = 10 V\n?最大RDS(ON) = 13 mΩ @ VGS = 4.5 V\n?快速開關(guān)\n?符合RoHS標準\n;

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

FDD6685

Fairchild
TO-252

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

上傳：深圳市創(chuàng)博偉業(yè)科技有限公司

Fairchild

技術(shù)參數(shù)

  • Pb-free：

    Pb

  • Halide free：

    H

  • Status：

    Active

  • Channel Polarity：

    N-Channel

  • Configuration：

    Single

  • V(BR)DSS Min (V)：

    35

  • VGS Max (V)：

    20

  • VGS(th) Max (V)：

    3

  • ID Max (A)：

    59

  • PD Max (W)：

    55

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：

    13

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：

    10

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：

    26

  • Ciss Typ (pF)：

    1400

  • Package Type：

    DPAK-3/TO-252-3

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
FAIRCHILD/仙童
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BOM配單專家,發(fā)貨快,價格低
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更多FDD6635供應商 更新時間2025-8-2 15:01:00

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