FDD6670A中文資料友臺半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
FDD6670A規(guī)格書詳情
Features
· RDS(ON )= 8 mW( VGS = 10 V)
· RDS(ON) = 10 mW( VGS = 4.5 V)
· Low gate charge
· Fast Switching
· High performance trench technology for extremely
low RDS(ON)
· VDS (V) = -30V
產品屬性
- 型號:
FDD6670A
- 功能描述:
MOSFET 30V N-Ch PowerTrench Logic Level
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ONSEMI/安森美 |
25+ |
TO-252 |
34729 |
ONSEMI/安森美全新特價FDD6670A即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有貨 |
詢價 | ||
ON/安森美 |
21+ |
TO-252 |
8080 |
只做原裝,質量保證 |
詢價 | ||
ONSEMI/安森美 |
22+ |
TO-252 |
12500 |
原裝正品支持實單 |
詢價 | ||
FAIRCHILD |
23+ |
NA |
19960 |
只做進口原裝,終端工廠免費送樣 |
詢價 | ||
IR |
24+ |
TO-252 |
90000 |
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詢價 | ||
FAIRCHI |
23+ |
TO-252 |
8560 |
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詢價 | ||
ONSEMI/安森美 |
2511 |
DPAK-3TO-252-3 |
360000 |
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詢價 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
SOT-2.5 |
9600 |
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詢價 | ||
FAIRCHI |
21+ |
TO-252 |
12588 |
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FCS |
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TO-263 |
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