FDD86113中文資料友臺(tái)半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
FDD86113規(guī)格書詳情
Features
Shielded Gate MOSFET Technology
HBM ESD protection level > 6 kV typical (Note 4)
High performance trench technology for extremely low RDS(on)
High power and current handling capability in a widely used
surface mount package
VDS =100V
ID(at VGS=10V)4.2A
RDS(ON) (at VGS=10V) < 104mΩ
RDS(ON)(at VGS = 4.5V) < 156mΩ
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
FDD86113
- 功能描述：
MOSFET 100/20V PT5 N-Chan PowerTrench MOSFET
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
DPAK-3 |
18000 |
原裝正品 |
詢價(jià) | ||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
SOT252 |
6800 |
專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
FAIRCHI |
21+ |
TO-252 |
12588 |
原裝正品,自己庫存 假一罰十 |
詢價(jià) | ||
VB |
23+ |
TO-252 |
8560 |
受權(quán)代理!全新原裝現(xiàn)貨特價(jià)熱賣! |
詢價(jià) | ||
Fairchild |
23+ |
33500 |
詢價(jià) | ||||
Fairchild/ON |
21+ |
TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC |
13880 |
公司只售原裝,支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
2324+ |
NA |
78920 |
二十余載金牌老企,研究所優(yōu)秀合供單位,您的原廠窗口 |
詢價(jià) | ||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
NA/ |
675 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價(jià) | ||
onsemi(安森美) |
23+ |
TO252 |
7350 |
現(xiàn)貨供應(yīng),當(dāng)天可交貨!免費(fèi)送樣,原廠技術(shù)支持!!! |
詢價(jià) | ||
Fairchild |
1930+ |
N/A |
2235 |
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詢價(jià) |
