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FDI047AN08A0

N-Channel PowerTrench MOSFET 75V, 80A, 4.7m?

Features ?rDS(ON)=4.0m?(Typ.),VGS=10V,ID=80A ?Qg(tot)=92nC(Typ.),VGS=10V ?LowMillerCharge ?LowQRRBodyDiode ?UISCapability(SinglePulseandRepetitivePulse) ?QualifiedtoAECQ101 Applications ?42VAutomotiveLoadControl ?Starter/Altern

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FDI047AN08A0

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=80A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=75V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=4.7mΩ(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·Designedforuseinswitchmo

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

FDH047AN08A0

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=75V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=4.7Ω(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·Designedforuseinswitchmod

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

FDH047AN08A0

N-ChannelPowerTrenchMOSFET75V,80A,4.7m?

Features ?rDS(ON)=4.0m?(Typ.),VGS=10V,ID=80A ?Qg(tot)=92nC(Typ.),VGS=10V ?LowMillerCharge ?LowQRRBodyDiode ?UISCapability(SinglePulseandRepetitivePulse) ?QualifiedtoAECQ101 Applications ?42VAutomotiveLoadControl ?Starter/Altern

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FDP047AN08A0

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=80A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=75V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=4.7mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

FDP047AN08A0

N-ChannelPowerTrenchMOSFET75V,80A,4.7m?

Features ?rDS(ON)=4.0m?(Typ.),VGS=10V,ID=80A ?Qg(tot)=92nC(Typ.),VGS=10V ?LowMillerCharge ?LowQRRBodyDiode ?UISCapability(SinglePulseandRepetitivePulse) ?QualifiedtoAECQ101 Applications ?42VAutomotiveLoadControl ?Starter/Altern

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FDP047AN08A0

N-ChannelUltraFETTrenchMOSFET75V,80A,4.7m?

Features ?rDS(ON)=4.0m?(Typ.),VGS=10V,ID=80A ?Qg(tot)=92nC(Typ.),VGS=10V ?LowMillerCharge ?LowQRRBodyDiode ?UISCapability(SinglePulseandRepetitivePulse) ?QualifiedtoAECQ101 Applications ?42VAutomotiveLoadControl ?Starter/Altern

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

詳細參數

  • 型號：

    FDI047AN08A0

  • 功能描述：

    MOSFET 75V N-Ch PowerTrench MOSFET

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
onsemi(安森美)
23+
I2PAK(TO-262)
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支持大陸交貨,美金交易。原裝現貨庫存。
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TO-262(I2PAK)
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