首頁>FDS6679AZ>規(guī)格書詳情

FDS6679AZ中文資料仙童半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

FDS6679AZ
廠商型號

FDS6679AZ

功能描述

P-Channel PowerTrench MOSFET -30V, -13A, 9mOhm

文件大小

414 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡稱

Fairchild仙童半導(dǎo)體

中文名稱

飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-1-28 8:09:00

FDS6679AZ規(guī)格書詳情

General Description

This P-Channel MOSFET is producted using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance.

This device is well suited for Power Management and load switching applications common in Notebook Computers and Portable Battery Packs.

Features

■ Max rDS(on) = 9.3m? at VGS = -10V, ID = -13A

■ Max rDS(on) = 14.8m? at VGS = -4.5V, ID = -11A

■ Extended VGS range (-25V) for battery applications

■ HBM ESD protection level of 6kV typical (note 3)

■ High performance trench technology for extremely low rDS(on)

■ High power and current handing capability

■ RoHS Compliant

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    FDS6679AZ

  • 功能描述:

    MOSFET -30V P-Channel PowerTrench MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
FAIRCHILD/仙童
24+
SOP8
990000
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
詢價(jià)
ON/安森美
22+
SOIC
48953
鄭重承諾只做原裝進(jìn)口貨
詢價(jià)
ON/安森美
6000
詢價(jià)
ON/安森美
24+
SOP8
5000
只做原裝正品上傳就有貨假一賠十
詢價(jià)
ONSEMI/安森美
SOP8
23+
5000
授權(quán)代理/原廠FAE技術(shù)支持
詢價(jià)
FAIRCHILD/仙童
18+
SOIC-8
21610
全新原裝現(xiàn)貨,可出樣品,可開增值稅發(fā)票
詢價(jià)
ON
兩年內(nèi)
NA
2500
實(shí)單價(jià)格可談
詢價(jià)
ON/安森美
21+
SOP-8
234740
原裝現(xiàn)貨假一賠十
詢價(jià)
Bychip
23+
SOP8
10000
高品質(zhì)替代,技術(shù)支持,參數(shù)選型
詢價(jià)
FAIRCHILD/仙童
23+
SOP8
6850
只做原廠原裝正品現(xiàn)貨!假一賠十!
詢價(jià)