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FF150R12KE3G

62mm C-series module with the trench/fieldstop IGBT3 and Emcon High Efficiency diode

62mmC-seriesmodulewiththetrench/fieldstopIGBT3andEmconHighEfficiencydiode

eupec

eupec GmbH

FF150R12KE3G

62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstop IGBT3 und Emitter Controlled High Efficiency Diode

62mmC-seriesmodulewiththetrench/fieldstopIGBT3andEmitterControlledHighEfficiencydiode

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

FF150R12KE3GB2HOSA1

包裝:散裝 封裝/外殼:模塊 類別:分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - IGBT - 模塊 描述:IGBT MODULE VCES 1200V 150A

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

FF150R12KE3GHOSA1

包裝:散裝 封裝/外殼:模塊 類別:分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - IGBT - 模塊 描述:IGBT MOD 1200V 225A 780W

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

FS150R12KE3

IGBT-modules

eupec

eupec GmbH

FS150R12KE3

IGBT-Module

IGBT-inverter diode-inverter NTC-thermistor

eupec

eupec GmbH

FS150R12KE3

IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

FS150R12KE3G

EvaluationDriverBoardsforEconoDUAL?3andEconoPACK?modules

The2ED100E12-F2andthe6ED100E12-F2EvaluationDriverBoardofferthefollowingfeatures: ?DualchannelIGBTdriverin2ED100E12-F2version,adaptedforusewithIGBT4 ?SixchannelIGBTdriverin6ED100E12-F2version ?Electricallyandmechanicallysuitablefor600Vand1200VEconoDUAL?3

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

詳細參數(shù)

  • 型號:

    FF150R12KE3G

  • 功能描述:

    IGBT 模塊 1200V 150A DUAL

  • RoHS:

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 產(chǎn)品:

    IGBT Silicon Modules

  • 配置:

    Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    600 V

  • 集電極—射極飽和電壓:

    1.95 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流:

    230 A

  • 柵極—射極漏泄電流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    445 W

  • 最大工作溫度:

    + 125 C

  • 封裝/箱體:

    34MM

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Infineon(英飛凌)
23+
標準封裝
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柒號只做原裝 現(xiàn)貨價秒殺全網(wǎng)
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INF
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更多FF150R12KE3G供應商 更新時間2025-1-9 23:00:00