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FF900R12IP4D分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料

FF900R12IP4D
廠商型號

FF900R12IP4D
參數(shù)屬性

FF900R12IP4D 封裝/外殼為模塊；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊；產(chǎn)品描述：IGBT MOD 1200V 900A 5100W
功能描述

PrimePACK?? Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4, gr??erer Emitter Controlled 4 Diode und NTC
IGBT MOD 1200V 900A 5100W
封裝外殼

模塊
文件大小

1.2532 Mbytes
頁面數(shù)量

9 頁
生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon【英飛凌】

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-2-28 19:00:00
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FF900R12IP4D規(guī)格書詳情

FF900R12IP4D屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的FF900R12IP4D晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件，主要用作電子開關(guān)，兼具高效率和快速切換優(yōu)點(diǎn)。作為模塊，IGBT 配置為非對稱式橋； 升壓、降壓和制動斬波器；全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。

Electrical Features

? Extended Operation Temperature Tvjop

? High DC Stability

? High Short Circuit Capability, Self Limiting Short Circuit Current

? Unbeatable Robustness

? Enlarged Diode for regenerative operation

? VCEsat with positive Temperature Coefficient

? Low VCEsat

Mechanical Features

? 4 kV AC 1min Insulation

? Package with CTI>400

? High Creepage and Clearance Distances

? High Power and Thermal Cycling Capability

? High Power Density

? Substrate for Low Thermal Resistance

Typical Applications

? High Power Converters

? Motor Drives

? Traction Drives

? UPS Systems

? Wind Turbines

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    FF900R12IP4DVBOSA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 系列：

    PrimePACK?2

  • 包裝：

    散裝

  • IGBT 類型：

    溝槽型場截止

  • 配置：

    2 個(gè)獨(dú)立式

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.05V @ 15V，900A

  • 輸入：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • NTC 熱敏電阻：

    是

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 150°C

  • 安裝類型：

    底座安裝

  • 封裝/外殼：

    模塊

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    模塊

  • 描述：

    IGBT MOD 1200V 900A 5100W

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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