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FFSM1065A分立半導體產(chǎn)品的二極管-整流器-單規(guī)格書PDF中文資料

FFSM1065A
廠商型號

FFSM1065A
參數(shù)屬性

FFSM1065A 封裝/外殼為4-PowerTSFN；包裝為管件；類別為分立半導體產(chǎn)品的二極管-整流器-單；產(chǎn)品描述：DIODE SBD 650V 4PQFN
功能描述

Silicon Carbide Schottky Diode 650 V, 10 A
DIODE SBD 650V 4PQFN
絲印標識

FFSM1065A
封裝外殼

PQFN / 4-PowerTSFN
文件大小

467.2 Kbytes
頁面數(shù)量

6 頁
生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI【安森美半導體】

中文名稱

安森美半導體公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-1-31 13:30:00

FFSM1065A規(guī)格書詳情

FFSM1065A屬于分立半導體產(chǎn)品的二極管-整流器-單。由安森美半導體公司制造生產(chǎn)的FFSM1065A二極管 - 整流器 - 單單整流器二極管系列產(chǎn)品可用于讓電流僅沿一個方向流動，并且每個器件封裝都恰好實現(xiàn)該功能的一個實例。其他用途的二極管（包括齊納二極管和可變電容二極管）單獨列在各自的產(chǎn)品系列中，每個器件封裝中包含多個二極管的產(chǎn)品也是如此。

Description

Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes use a completely new

technology that provides superior switching performance and higher

reliability compared to Silicon. No reverse recovery current,

temperature independent switching characteristics, and excellent

thermal performance sets Silicon Carbide as the next generation of

power semiconductor. System benefits include highest efficiency,

faster operating frequency, increased power density, reduced EMI, and

reduced system size and cost.

Features

? Max Junction Temperature 175°C

? Avalanche Rated 47 mJ

? High Surge Current Capacity

? Positive Temperature Coefficient

? Ease of Paralleling

? No Reverse Recovery/No Forward Recovery

? This Device is Pb?Free, Halogen Free/BFR Free and RoHS

Compliant

Applications

? General Purpose

? SMPS, Solar Inverter, UPS

? Power Switching Circuits

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    FFSM1065A

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 單

  • 包裝：

    管件

  • 二極管類型：

    碳化硅肖特基

  • 電流 - 平均整流 (Io)：

    11A

  • 速度：

    無恢復時間 > 500mA（Io）

  • 不同?Vr、F 時電容：

    575pF @ 1V，100kHz

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    4-PowerTSFN

  • 供應商器件封裝：

    4-PQFN（8x8）

  • 工作溫度 - 結：

    -55°C ~ 175°C

  • 描述：

    DIODE SBD 650V 4PQFN

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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