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FGD3N60UNDF

600 V，3 A，短路額定 IGBT

飛兆半導(dǎo)體的 NPT IGBT 采用的是先進的 NPT IGBT 技術(shù)，為具有低損耗和短路耐用性特征的低功率逆變器驅(qū)動應(yīng)用提供最優(yōu)性能。; ?短路承受額定 10us\n?高電流能力\n?高輸入阻抗\n?快速開關(guān)\n?符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)\n;

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

FGD3N60UNDF

Using advanced NPT IGBT technology, Fairchild??? the NPT vIGBTs offer the optimum performance for low-power inverterdriven applications where low-losses and short-circuit ruggedness features are essential.

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

Fairchild

FQB3N60

600VN-ChannelMOSFET

GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

Fairchild

FQB3N60

ThisN-channelMOSFETSuseadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(on)withlowgatecharge.Itcanbeusedinawidevarietyofapplications.

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

FQB3N60C

600VN-ChannelMOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

Fairchild

技術(shù)參數(shù)

  • Pb-free：

    Pb

  • Halide free：

    H

  • Status：

    Active

  • V(BR)CES Typ (V)：

    600

  • IC Max (A)：

    3

  • VCE(sat) Typ (V)：

    2

  • VF Typ (V)：

    1.7

  • Eoff Typ (mJ)：

    0.3

  • Eon Typ (mJ)：

    0.52

  • Trr Typ (ns)：

    21

  • Gate Charge Typ (nC)：

    1.6

  • Short Circuit Withstand (μs)：

    10

  • PD Max (W)：

    60

  • Co-Packaged Diode：

    Yes

  • Package Type：

    DPAK-3/TO-252-3

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
onsemi(安森美)
24+
TO-252
2669
原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù)
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ONSemiconductor
24+
NA
3597
進口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng)
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1983
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ON/安森美
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TO-252
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正納10年以上分銷經(jīng)驗原裝進口正品做服務(wù)做口碑有支持
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Fairchild/ON
22+
TO252 (DPak)
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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FAIRCHILD/仙童
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TO-252
38000
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
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SOT-252
202
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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ON
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SOT-252
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更多FGD3N60UNDF供應(yīng)商 更新時間2025-8-2 8:12:00

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