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FGH80N60FD2TU分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

FGH80N60FD2TU
廠商型號

FGH80N60FD2TU

參數(shù)屬性

FGH80N60FD2TU 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 80A 290W TO247

功能描述

DESIGN/PROCESS CHANGE NOTIFICATION

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

298.83 Kbytes

頁面數(shù)量

14

生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡稱

Fairchild仙童半導(dǎo)體

中文名稱

飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-2-6 16:30:00

FGH80N60FD2TU規(guī)格書詳情

Description

SuperFET?II MOSFET is Fairchild Semiconductor?’s first generation of high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance.This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate and higher avalanche energy. Consequently, SuperFETII MOSFET is suitable for various AC/DC power conversion for system miniaturization and higher efficiency.

Features

? 650 V @TJ = 150°C

? Max. RDS(on) = 380 mΩ

? Ultra Low Gate Charge ( Typ. Qg = 34 nC)

? Low Effective Output Capacitance ( Typ. Coss.eff = 97 pF)

? 100 Avalanche Tested

Applications

? LCD / LED / PDP TV Lighting

? Solar Inverter

? AC-DC Power Supply

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    FGH80N60FD2TU

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • IGBT 類型:

    場截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.4V @ 15V,40A

  • 開關(guān)能量:

    1mJ(開),520μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    21ns/126ns

  • 測試條件:

    400V,40A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT 600V 80A 290W TO247

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
Fairchild
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FAIRCHILD/仙童
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