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FGPF7N60LSD分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

FGPF7N60LSD
廠商型號

FGPF7N60LSD
參數(shù)屬性

FGPF7N60LSD 封裝/外殼為TO-220-3 整包；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 14A 45W TO220F
功能描述

600V, 7A Low Saturation IGBT CO-PAK
封裝外殼

TO-220-3 整包
文件大小

791.85 Kbytes
頁面數(shù)量

9 頁
生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡稱

FAIRCHILD【仙童半導(dǎo)體】

中文名稱

飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-6-4 14:41:00
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FGPF7N60LSD規(guī)格書詳情

Description

Fairchilds Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) provides very low conduction and switching losses.The device is designed for Lamp applications where very low On-Voltage Drop is a required feature.

Features

? Low saturation voltage : VCE(sat) = 1.4 V @ IC = 7A

? High input impedance

? CO-PAK, IGBT with FRD : trr = 50 ns (typ.)

Applications

Lamp applications (Hallogen Dimmer)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    FGPF7N60LSDTU

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2V @ 15V，7A

  • 開關(guān)能量：

    270μJ（開），3.8mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    120ns/410ns

  • 測試條件：

    300V，7A，470 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220F-3

  • 描述：

    IGBT 600V 14A 45W TO220F

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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