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FIR12N60FG

Advanced N-Ch Power MOSFET-G

FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd.

福斯特半導(dǎo)體深圳市福斯特半導(dǎo)體有限公司

FKPF12N60

Bi-DirectionalTriodeThyristorPlanarSilicon

ApplicationExplanation ?Switchingmodepowersupply,lightdimmer,electricflasherunit,hairdrier ?TVsets,stereo,refrigerator,washingmachine ?Electricblanket,solenoiddriver,smallmotorcontrol ?Photocopier,electrictool

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FMC12N60ES

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

FujiFuji Electric

富士電機富士電機株式會社

FMC12N60ES

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.75Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

FMI12N60ES

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

FujiFuji Electric

富士電機富士電機株式會社

FML12N60ES

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

FujiFuji Electric

富士電機富士電機株式會社

FMP12N60ES

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

FujiFuji Electric

富士電機富士電機株式會社

FMV12N60ES

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

FujiFuji Electric

富士電機富士電機株式會社

FQA12N60

600VN-ChannelMOSFET

GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FQA12N60

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.7Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconv

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
FIRST(福斯特)
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TO-220F(TO-220IS)
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更多FIR12N60FG供應(yīng)商 更新時間2025-1-26 15:00:00