FMBA56分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
FMBA56 |
| 參數(shù)屬性 | FMBA56 封裝/外殼為SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)；產(chǎn)品描述：TRANS PNP 80V 0.5A SUPERSOT-6 |
| 功能描述 | PNP Multi-Chip General Purpose Amplifier |
| 封裝外殼 | SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6 |
| 文件大小 |
42.33 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
4 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Fairchild Semiconductor |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
Fairchild【仙童半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-2-7 9:34:00 |
FMBA56規(guī)格書詳情
PNP Multi-Chip General Purpose Amplifier
This device is designed for general purpose amplifier applications at collector currents to 300 mA. Sourced from Process 73.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
FMBA56
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類型：
PNP
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：
250mV @ 10mA，100mA
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
100nA
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 100mA，1V
- 頻率 - 躍遷：
50MHz
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6
- 供應(yīng)商器件封裝：
SuperSOT?-6
- 描述：
TRANS PNP 80V 0.5A SUPERSOT-6
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi |
24+ |
SOT-23-6 細(xì)型 TSOT-23-6 |
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