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FMC10N60E

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.79Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

FMC10N60E

N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFeatures

FujiFuji Electric

富士電機富士電機株式會社

FMI10N60E

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

FujiFuji Electric

富士電機富士電機株式會社

FMP10N60E

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

FujiFuji Electric

富士電機富士電機株式會社

FMV10N60E

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

FujiFuji Electric

富士電機富士電機株式會社

FQA10N60C

600VN-ChannelMOSFET

GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwith

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FQA10N60C

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.73Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

FQB10N60C

600VN-ChannelMOSFET

GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwith

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FQI10N60C

600VN-ChannelMOSFET

GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwith

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FQP10N60

600VN-ChannelMOSFET

TGS

Tiger Electronic Co.,Ltd

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    FMC10N60E

  • 制造商：

    FUJI

  • 制造商全稱：

    Fuji Electric

  • 功能描述：

    N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFeatures

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
FAIRCHILD/仙童
23+
TO-220
69820
終端可以免費供樣,支持BOM配單!
 詢價
F
23+
T-PACK(S)
10000
公司只做原裝正品
 詢價
FUJI/富士電機
2022+
TO-263
50000
原廠代理 終端免費提供樣品
 詢價
FUJI
原廠封裝
1000
一級代理 原裝正品假一罰十價格優(yōu)勢長期供貨
 詢價
FUJI/富士電機
2022+
TO-263
30000
進口原裝現(xiàn)貨供應(yīng),絕對原裝 假一罰十
 詢價
FUJI/富士電機
2022+
TO-263
30000
進口原裝現(xiàn)貨供應(yīng),原裝 假一罰十
 詢價
FUJI/富士電機
23+
N/A
11550
FUJI/富士電機系列在售
 詢價
FUJI/富士電機
23+
N/A
9000
專業(yè)配單,原裝正品假一罰十,代理渠道價格優(yōu)
 詢價
FUJITSU/富士通
24+
355
現(xiàn)貨供應(yīng)
 詢價
FUJITSU/富士通
23+
TO-59
8510
原裝正品代理渠道價格優(yōu)勢
 詢價
更多FMC10N60E供應(yīng)商 更新時間2025-1-25 11:00:00

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